半导体发光器件.pdf
一吃****继勇
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半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法.pdf
本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间,所述底部填充材料包括肋部,所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
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本公开涉及一种半导体发光器件,包括:在生长衬底上顺序生长的多个半导体层,所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层;向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极;向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极;不导电反射膜,所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上,用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光,且所述不导电反射膜具有双层结构,该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜;以及多个连接件,所述多
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本公开涉及一种半导体发光器件,包括:第一电极,第一电极向多个半导体层提供电子或电子空穴;第二电极,第二电极用于向所述多个半导体层提供第一电极不提供的空穴或电子空穴;不导电的分布式布拉格反射器,耦接到所述多个半导体层,反射来自有源层的所述光;以及第一透明膜,从相对于不导电分布式布拉格反射器与所述多个半导体层相对的侧耦接到分布式布拉格反射器,并且具有比分布式布拉格反射器的有效折射率低的折射率。
半导体发光器件.pdf
本公开涉及一种半导体发光器件,所述半导体发光器件包括:多个半导体层,其是使用生长基板按顺序生长的;第一电极,其用于向第一半导体层提供电子和空穴中的一种;非导电反射膜,其形成在第二半导体上,以将光从有源层反射到作为生长基板侧的第一半导体层侧;以及分支电极,其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间,延伸以向所述第二半导体层提供其它的电子和空穴,与所述第二半导体层连通,分支电极设置有电连接件,以被提供其它的电子和空穴。
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本公开涉及一种半导体发光器件,包括:在生长衬底上顺序生长的多个半导体层,其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层;第一电极,所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个;第二电极,所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个;不导电反射膜,所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上,用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光,且所述不导电反射膜具有双层结构,该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介