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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103946994103946994A(43)申请公布日2014.07.23(21)申请号201380003999.9代理人吕俊刚刘久亮(22)申请日2013.01.14(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L33/36(2006.01)10-2012-00043692012.01.13KRH01L33/46(2006.01)10-2013-00029452013.01.10KRH01L33/38(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.05.23(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2013/0002852013.01.14(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/105834KO2013.07.18(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道(72)发明人全水根朴恩铉(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127权权利要求书2页利要求书2页说明书11页说明书11页附图9页附图9页(54)发明名称半导体发光器件(57)摘要本公开涉及一种半导体发光器件,所述半导体发光器件包括:多个半导体层,其是使用生长基板按顺序生长的;第一电极,其用于向第一半导体层提供电子和空穴中的一种;非导电反射膜,其形成在第二半导体上,以将光从有源层反射到作为生长基板侧的第一半导体层侧;以及分支电极,其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间,延伸以向所述第二半导体层提供其它的电子和空穴,与所述第二半导体层连通,分支电极设置有电连接件,以被提供其它的电子和空穴。CN103946994ACN103946ACN103946994A权利要求书1/2页1.一种半导体发光器件,所述半导体发光器件包括:多个半导体层,其包括第一半导体层、第二半导体层和有源层,所述第一半导体层具有第一导电率,所述第二半导体层具有不同于所述第一导电率的第二导电率,所述有源层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间,用于通过电子-空穴复合产生光,其中,所述多个半导体层使用生长基板顺序地生长;第一电极,其用于向所述第一半导体层提供电子或空穴;非导电反射膜,其形成在所述第二半导体上方,以将光从所述有源层向着在所述生长基板侧上的所述第一半导体层反射;以及指状电极,其形成在所述多个半导体层和所述非导电反射膜之间,延伸以向所述第二半导体层提供其余的电子或空穴,与所述第二半导体层电连通,并且具有用于接收所述其余的电子或空穴的电连接件。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述非导电反射膜包括分布布拉格反射器(DBR)。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,所述半导体发光器件还包括:第二电极,其连接到所述电连接件,用于向所述第二半导体层提供所述其余的电子或空穴。4.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其中,所述电连接件被形成为从所述第二电极穿过所述非导电反射膜到所述指状电极。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件,所述半导体发光器件还包括:防吸光膜,其形成在所述指状电极下方以及所述多个半导体层和所述指状电极之间,用于防止从所述有源层产生的光被所述指状电极吸收。6.根据权利要求5所述的半导体发光器件,其中,所述防吸光膜由折射率比所述第二半导体层的折射率低的透光材料构成。7.根据权利要求5所述的半导体发光器件,其中,所述防吸光膜由非导电材料构成。8.根据权利要求5所述的半导体发光器件,其中,所述防吸光膜是折射率比所述第二半导体层的折射率低的透光介电膜。9.根据权利要求5所述的半导体发光器件,所述半导体发光器件还包括:透光导电膜,其形成在所述非导电反射层和所述第二半导体层之间,用于使所述指状电极与所述第二半导体层电连通。10.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中,所述透光导电膜覆盖所述防吸光膜,并且所述指状电极位于所述透光导电膜上。11.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中,所述透光导电膜具有使所述非导电反射膜能够与所述多个半导体层接触的开口。12.根据权利要求9所述的半导体发光器件,其中,所述指状电极与所述防吸光膜接触。13.根据权利要求2所述的半导体发光器件,其中,所述非导电反射膜包括在所述DRB下面并且折射率比所述第二半导体层的折射率低的介电膜。14.根据权利要求2所述的半导体发光器件,所述半导体发光器件还包括:防吸光膜,其形成在所述指状电极下面以及所述多个半导体层和所述指状电极之间,2CN103946994A权利要求书2/2页用于防止从所述有源层产生的光被所述指状电极吸收。15.根据权利要求2所述的半导体发光器件,其中,所述第二半导体层由p型III族氮化物半导体构成。16.根据权利要求15所述的半导体发光器件,所述半导体发光