蚀刻系统、模型和制造过程.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115513079A(43)申请公布日2022.12.23(21)申请号202210707850.X(22)申请日2022.06.21(66)本国优先权数据PCT/CN2021/1017832021.06.23CN(71)申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人黄郊王进泽严焱范永发刘亮冯牧(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师毕杨(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)G03F7/20(2006.01)G06F30/398(2020.01)权利要求书1页说明书23页附图9页(54)发明名称蚀刻系统、模型和制造过程(57)摘要蚀刻偏差是基于衬底图案中的轮廓的曲率来确定的。所述蚀刻偏差被配置成被用于提高半导体图案化过程相对于先前的图案化过程的准确度。在一些实施例中，所述衬底图案的表示被接收，所述表示包括所述衬底图案中的所述轮廓。所述衬底图案的所述轮廓的曲率被确定并被输入至模拟模型。所述模拟模型包括蚀刻偏差与轮廓的曲率之间的相关性。所述衬底图案中的所述轮廓的所述蚀刻偏差通过基于所述曲率的所述模拟模型来输出。CN115513079ACN115513079A权利要求书1/1页1.一种方法，包括：接收衬底图案的轮廓的表示；确定所述轮廓的曲率；以及使用模拟模型，以基于所述曲率来确定针对所述衬底图案的蚀刻效应，其中，所述模拟模型包括蚀刻偏差与轮廓的曲率之间的相关性。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻效应是蚀刻偏差。3.根据权利要求1所述的方法，其中，基于(1)所述轮廓的斜率和(2)所述轮廓中的最大值或最小值来确定所述曲率。4.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述轮廓的一阶导数或二阶导数来确定所述曲率。5.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述轮廓的一阶导数和二阶导数来确定所述曲率。6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过所述二阶导数与所述一阶导数之间的比率来确定所述曲率。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模拟模型包括多维算法。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多维算法包括表示刻蚀过程的参数的一个或更多个非线性函数、线性函数或二次函数。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述模拟模型包括物理蚀刻模型或半物理蚀刻模型。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述蚀刻模型包括包含曲率项的多维算法，所述曲率项被配置成将所述曲率与所述蚀刻偏差关联。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述轮廓是从所述衬底图案的来自对所述衬底图案的显影后检查的表示获得的。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述轮廓是从抗蚀剂模型或光学模型获得的。13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻效应包括蚀刻后轮廓与显影后轮廓之间的蚀刻偏差，并且所述蚀刻偏差被配置成被提供至成本函数以便于确定与单独的图案化过程变量相关联的成本。14.一种非暂时性计算机可读介质，在所述非暂时性计算机可读介质上具有指令，所述指令在由计算机执行时使计算机执行根据权利要求1至13中的任一项所述的方法。15.一种用于确定针对衬底图案的蚀刻效应的系统，所述系统包括一个或更多个硬件处理器，所述一个或更多个硬件处理器由非暂时性机器可读指令配置以执行根据权利要求1至13中的任一项所述的方法。2CN115513079A说明书1/23页蚀刻系统、模型和制造过程技术领域[0001]本公开总体涉及与计算光刻相关联的蚀刻模拟。背景技术[0002]光刻投影设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供与IC的单独的层相对应的图案(“设计布局”)，并且这种图案可以通过诸如通过所述图案形成装置上的图案来辐照所述目标部分之类的方法而被转印到已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)上。通常，单个衬底包括多个相邻的目标部分，所述图案被光刻投影设备连续地、以一次一个目标部分的方式被转印到所述多个相邻的目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，在一次操作中整个图案形成装置上的图案被转印到一个目标部分上。这样的设备通常被称为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时与所述参考方向平行地或反向平行地同步移动衬底。所述图案形成装置上的图案的不同部分被逐步地转印到一个目标部分上。因为，通常，所述光刻投影设备将具有缩小比率M(例如，4)，所述衬底被移动的速度F将为所述投影束扫描所述图案形成装置的速度的1/M。关于光刻装置的更多信息可以从例如通过引用并入本文中的US6,046,792中找到。[0003]在将所述图案从图案形成装