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一种反应离子蚀刻的蚀刻速度控制方法和系统.pdf
2023-05-17
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一种反应离子蚀刻的蚀刻速度控制方法和系统.pdf
本发明公开了一种反应离子蚀刻(RIE)工艺,目的是确保钨柱完整及表面洁净无杂质(如图1),利于扫描电子显微镜观察,分析失效原因。根据芯片样本表面的欲蚀刻材料选择相应的蚀刻气体,并在蚀刻气体中加入惰性气体;蚀刻过程中主要通过调整样品的倾斜角度、过程清洗及产生高速撞击离子的设备的功率、蚀刻气体和惰性气体的配比来控制欲蚀刻样本的表面欲蚀刻材料和非欲蚀刻材料的蚀刻速度比。通过本发明提供的控制方法能够使反应离子蚀刻保留具有各向异性特点,同时又能获得高刻蚀选择比。本发明还提供了一种控制反应离子蚀刻的蚀刻速度的系统。
2023-05-17
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一种蚀刻装置控制方法和系统.pdf
本发明公开一种蚀刻装置控制方法和系统，应用于蚀刻装置内，包括如下步骤：控制循环洁净单元将溶液由溢流槽抽到反应槽底部的入射单元；控制机械手臂移动晶舟到反应槽内；在达到制程结束前的预设时间时，控制循环洁净单元将溶液由反应槽底部抽到喷淋单元；在制程结束时控制机械手臂将晶舟从反应槽内移出。上述技术方案通过循环洁净单元抽取反应槽内的溶液，并在过滤洁净后对反应后的晶圆进行冲刷，避免晶圆上的反应物残留，进而提高化学蚀刻的品质。
2023-11-17
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等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置.pdf
本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置，能够控制蚀刻率的轮廓，能够抑制因处理容器等被蚀刻而引起的颗粒的产生。每当实施清洁工序(a)，利用使该清洁气体等离子体化得到的等离子体除去附着在处理容器(2)内的附着物；成膜工序(b)，利用使含碳和氟的成膜气体等离子体化得到的等离子体，在处理容器内部的暴露于等离子体的部位形成CF膜；蚀刻工序(c)，将晶片W载置在处理容器内的载置台上，利用使蚀刻气体等离子体化得到的等离子体对晶片W进行蚀刻；和在该蚀刻工序(c)之后将晶片W从处理容器搬出的工序(d
2023-10-22
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等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置.pdf
本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。
2023-11-22
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蚀刻方法和蚀刻装置.pdf
本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。
2023-11-15
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