晶片研磨装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115592559A(43)申请公布日2023.01.13(21)申请号202211234362.8(22)申请日2022.10.10(71)申请人金华博蓝特新材料有限公司地址321000浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧(72)发明人陈素春余雅俊占俊杰徐良刘建哲林骞(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619专利代理师佟林松(51)Int.Cl.B24B37/10(2012.01)B24B37/30(2012.01)B24B37/34(2012.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称晶片研磨装置(57)摘要本申请涉及蓝宝石新材料技术领域的一种晶片研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面垂直，所述第一轴靠近承载平面边缘处；研磨砂轮，所述研磨砂轮连接于所述第一轴上，所述研磨砂轮包括研磨面，所述研磨面外圈延伸至所述承载平面中心点；固定组件，设于所述基座上，用于将所述晶片固定在所述承载平面上。本申请的晶片研磨装置在保证晶片减薄效率的同时，减少了工艺步骤，降低了崩边碎片发生的可能性，并能满足面型曲圆化晶片的加工。CN115592559ACN115592559A权利要求书1/1页1.一种晶片研磨装置，其特征在于，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面垂直，所述第一轴靠近承载平面边缘处；研磨砂轮，所述研磨砂轮连接于所述第一轴上，所述研磨砂轮包括研磨面，所述研磨面外圈延伸至所述承载平面中心点；固定组件，设于所述基座上，用于将所述晶片固定在所述承载平面上。2.根据权利要求1所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述第一轴位于所述研磨砂轮远离研磨盘一侧并与所述研磨砂轮中心处球铰接；所述研磨装置还包括第二轴，所述第二轴位于所述研磨砂轮靠近研磨盘一侧并与所述研磨砂轮同轴连接；所述研磨盘上表面位于承载平面四周设有环形的轨道，所述第二轴底端与所述轨道滑移连接。3.根据权利要求2所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述研磨砂轮与所述第二轴同轴转动连接，所述轨道为开设于所述研磨盘上表面的环形凹槽，所述凹槽底部的截面为圆弧形，所述第二轴底端为与凹槽底部相适配的扁平状圆弧头。4.根据权利要求3所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述凹槽的槽底开设有多个环形滑槽，多个所述环形滑槽与所述凹槽同轴布置并均匀分布，所述第二轴底端的扁平状圆弧头的表面固定有一个与各所述环形滑槽均能适配的滑块。5.根据权利要求3所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述凹槽与所述承载平面同轴布置且所述凹槽的内圈直径等于所述承载平面的直径。6.根据权利要求2‑5任一所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述研磨砂轮的研磨面相对研磨盘的承载平面的可调节倾斜角度为‑5°～5°。7.根据权利要求1‑5任一所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述研磨盘与所述研磨砂轮的自转方向相反。8.根据权利要求1‑5任一所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述研磨盘上开设有通孔，所述通孔连通研磨盘的承载平面和背面，所述固定组件包括气嘴，所述气嘴安装在通孔内。9.根据权利要求8所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述气嘴上表面与所述研磨盘的承载平面相持平。10.根据权利要求1‑5任一所述的晶片研磨装置，其特征在于，所述研磨砂轮下半部为砂轮材质形成所述研磨面，所述研磨砂轮目数为300‑350目。2CN115592559A说明书1/4页晶片研磨装置技术领域[0001]本申请涉及蓝宝石新材料技术领域，尤其是涉及一种晶片研磨装置。背景技术[0002]随着现代光学事业的发展，对于光学元件有着更高性能、轻量化和微型化的要求，这就需要衬底趋向大尺寸化，以便在衬底上实施多种图形化方案。例如，MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，大尺寸衬底可以在每个MOCVD轮次中制作更多的芯片；其中，采用大尺寸蓝宝石衬底便是降低LED芯片成本的主要因素之一；主要是由于LED芯片存在边缘无效区，所以直径越大，芯片数量比与直径比优势越明显，以6英寸为例，表面积是2英寸的9倍，芯片数量确是2英寸的10.9倍，因此衬底尺寸越大，芯片数量优势越明显；但是随着衬底尺寸的加大，加工难度也逐步上升，崩边碎片等问题随着尺寸的加大更易出现。发明内容[0003]为了保证晶片减薄效率的同时，减少工艺步骤，降低崩边碎片发生的可能性，本申请提供一种晶片研磨装置。[0004]根据本发明的一个方面，提供一种晶片研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面