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SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书

4A、600VN沟道增强型场效应管

描述

SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ/MJGN沟道增强型高压功率
MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压
VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得
该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换
器，高压H桥PWM马达驱动。

特点

∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V
∗低栅极电荷量
∗低反向传输电容
∗开关速度快
∗提升了dv/dt能力

命名规则

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称材料包装

SVF4N60TTO-220-3LSVF4N60T无铅料管
SVF4N60FTO-220F-3LSVF4N60F无铅料管
SVF4N60FGTO-220F-3LSVF4N60FG无卤料管
SVF4N60KTO-262-3LSVF4N60K无铅料管
SVF4N60DTO-252-2LSVF4N60D无铅料管
SVF4N60DTRTO-252-2LSVF4N60D无铅编带
SVF4N60MJTO-251J-3LSVF4N60MJ无铅料管
SVF4N60MJGTO-251J-3LSVF4N60MJG无卤料管
SVF4N60MTO-251D-3LSVF4N60M无铅料管

士兰微电子
SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书

极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)

参数范围
参数名称符号SVF4NSVF4NSVF4NSVF4NSVF4N单位
60T60F(G)60D/M60MJ(G)60K

漏源电压VDS600V

栅源电压VGS±30V

TC=25°C4.0
漏极电流IDA
TC=100°C2.5

漏极脉冲电流IDM16A

耗散功率（TC=25°C）10033778695W
PD
-大于25°C每摄氏度减少0.80.260.620.690.76W/°C

单脉冲雪崩能量（注1）EAS217mJ

工作结温范围TJ-55～+150°C

贮存温度范围Tstg-55～+150°C

热阻特性

参数范围
参数名称符号单位
SVF4N60TSVF4N60F(G)SVF4N60D/MSVF4N60MJ(G)SVF4N60K

芯片对管壳热阻RθJC1.253.851.611.451.32°C/W

芯片对环境的热阻RθJA62.512011011062.5°C/W

关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)

参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位

漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=250µA600----V

漏源漏电流IDSSVDS=600V，VGS=0V----1.0µA

栅源漏电流IGSSVGS=±30V，VDS=0V----±100nA

栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=250µA2.0--4.0V

导通电阻RDS(on)VGS=10V，ID=2A--2.02.4Ω

输入电容Ciss--449.7--
VDS=25V，VGS=0V，
输出电容Coss--57--pF
f=1.0MHZ
反向传输电容Crss--2.0--

开启延迟时间td(on)VDD=300V，ID=4A，--16.8--

开启上升时间trRG=25Ω--26.2--
ns
关断延迟时间td(off)--37.4--
注，
关断下降时间tf(23)--20.2--

栅极电荷量QgVDS=480V，ID=4A，--8.16--

栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--2.63--nC
注，
栅极-漏极电荷量Qgd(23)--3.01--

士兰微电子
SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G)说明书

源-漏二极管特性参数

参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位

源极电流ISMOS管中源极、漏极构成的----4.0
A
源极脉冲电流ISM反偏P-N结----16

源-漏二极管压降VSDIS=4.0A，VGS=0V----1.4V

反向恢复时间TrrIS=4.0A，VGS=0V，--441.53--ns
注
反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µs(2)--1.98--µC

注：

1.L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C；
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3.基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线

图1.输出特性图2.传输特性
10100
变量

VGS=4.5V-55°C

VGS=5V