士兰微SVF2N60规格书(最新版).pdf

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D说明书

2A、600VN沟道增强型场效应管

描述

SVF2N60M/MJ/N/F/T/DN沟道增强型高压功率MOS场效应
晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换
器，高压H桥PWM马达驱动。

特点

∗2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
∗低栅极电荷量
∗低反向传输电容
∗开关速度快
∗提升了dv/dt能力

命名规则

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称材料包装形式
SVF2N60MTO-251D-3LSVF2N60M无铅料管
SVF2N60MJTO-251J-3LSVF2N60MJ无铅料管
SVF2N60NTO-126-3LSVF2N60N无铅袋装
SVF2N60FTO-220F-3LSVF2N60F无铅料管
SVF2N60TTO-220-3LSVF2N60T无铅料管
SVF2N60DTO-252-2LSVF2N60D无铅料管
SVF2N60DTRTO-252-2LSVF2N60D无铅编带

版本号：1.42011.11.16

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D说明书

极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)

参数范围
参数名称符号SVF2NSVF2NSVF2NSVF2NSVF2N单位
60M/D60MJ60N60T60F

漏源电压VDS600V

栅源电压VGS±30V

TC=25°C2.0
漏极电流IDA
TC=100°C1.3

漏极脉冲电流IDM8.0A

耗散功率(TC=25°C)3435304423W
PD
-大于25°C每摄氏度减少0.270.280.240.350.18W/°C

单脉冲雪崩能量(注1)EAS115mJ

工作结温范围TJ-55～+150°C

贮存温度范围Tstg-55～+150°C

热阻特性

参数范围
参数名称符号单位
SVF2N60M/DSVF2N60MJSVF2N60NSVF2N60TSVF2N60F

芯片对管壳热阻RθJC3.73.574.172.865.56°C/W

芯片对环境的热阻RθJA11011062.562.5120°C/W

电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位

漏源击穿电压BVDSSBVGS=0V，ID=250µA600----V

漏源漏电流IDSSVDS=600V，VGS=0V----1.0µA

栅源漏电流IGSSVGS=±30V，VDS=0V----±100nA

栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=250µA2.0--4.0V

导通电阻RDS(on)VGS=10V，ID=1.0A--3.74.2Ω

输入电容Ciss--250.1--
VDS=25V，VGS=0V，
输出电容Coss--35.7--pF
f=1.0MHz
反向传输电容Crss--1.1--

开启延迟时间td(on)VDD=300V，ID=2.0A，--9.2--

开启上升时间trRG=25Ω--23.4--
ns
关断延迟时间td(off)--15.3--
注，
关断下降时间tf(23)--20.1--

栅极电荷量QgVDS=480V，ID=2.0A，--5.67--

栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--1.74--nC

栅极-漏极电荷量Qgd(注2，3)--1.99--

版本号：1.42011.11.16

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源-漏二极管特性参数

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位

源极电流ISMOS管中源极、漏极构成的----2.0
A
源极脉冲电流ISM反偏P-N结----8.0

源-漏二极管压降VSDIS=2.0A，VGS=0V----1.4V

反向恢复时间TrrIS=2.0A，VGS=0V，--230--ns

反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µS--1.0--µC

注：

1.L=30mH，IAS=2.52A，VDD=145V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C；
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3.基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线

版本号：1.42011.11.16

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典型特性曲线（续）

图5.电容特性图6.电荷量特性
60012
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
VDS=120V
Coss=Cds+Cgd
500