士兰微SVF12N65规格书(最新版).pdf

SVF12N65T/F/FG/K/S说明书

12A、650VN沟道增强型场效应管

描述

SVF12N65T/F/FG/K/SN沟道增强型高压功率MOS场效应
晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换
器，高压H桥PWM马达驱动。

特点

∗12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64Ω@VGS=10V
∗低栅极电荷量
∗低反向传输电容
∗开关速度快
∗提升了dv/dt能力

命名规则

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称材料包装形式

SVF12N65TTO-220-3LSVF12N65T无铅料管
SVF12N65FTO-220F-3LSVF12N65F无铅料管
SVF12N65FGTO-220F-3LSVF12N65FG无卤料管
SVF12N65KTO-262-3LSVF12N65K无铅料管
SVF12N65STO-263-2LSVF12N65S无铅料管
SVF12N65STRTO-263-2LSVF12N65S无铅编带

版本号：1.72012.09.17

士兰微电子
SVF12N65T/F/FG/K/S说明书

极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)

参数范围
参数名称符号SVF12NSVF12NSVF12NSVF12N单位
65T65F(G)65K65S

漏源电压VDS650V

栅源电压VGS±30V

TC=25°C12
漏极电流IDA
TC=100°C9

漏极脉冲电流IDM48A

耗散功率（TC=25°C）22551209212W
PD
-大于25°C每摄氏度减少1.80.411.671.7W/°C

单脉冲雪崩能量（注1）EAS786mJ

工作结温范围TJ-55～+150°C

贮存温度范围Tstg-55～+150°C

热阻特性

参数范围
参数名称符号SVF12NSVF12NSVF12NSVF12N单位
65T65F(G)65K65S

芯片对管壳热阻RθJC0.562.440.60.59°C/W

芯片对环境的热阻RθJA62.512062.562.5°C/W

电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)

参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位

漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=250µA650----V

漏源漏电流IDSSVDS=650V，VGS=0V----1.0µA

栅源漏电流IGSSVGS=±30V，VDS=0V----±100nA

栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=250µA2.0--4.0V

导通电阻RDS(on)VGS=10V，ID=6.0A--0.640.8Ω

输入电容Ciss--1476--
VDS=25V，VGS=0V，
输出电容Coss--152--pF
f=1.0MHz
反向传输电容Crss--4.5--

开启延迟时间td(on)VDD=325V，ID=12A，--37.67--

开启上升时间trRG=25Ω--61.67--
ns
关断延迟时间td(off)--80.33--
注，
关断下降时间tf(23)--46.67--

栅极电荷量QgVDS=520V，ID=12A，--24.15--

栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--7.86--nC
注，
栅极-漏极电荷量Qgd(23)--7.47--

版本号：1.72012.09.17

士兰微电子
SVF12N65T/F/FG/K/S说明书

源-漏二极管特性参数

参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位

源极电流ISMOS管中源极、漏极构成的----12
A
源极脉冲电流ISM反偏P-N结----48

源-漏二极管压降VSDIS=12A，VGS=0V----1.4V

反向恢复时间TrrIS=12A，VGS=0V，--590.61--ns
（注）
反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µS2--5.62--µC

注：

1.L=30mH，IAS=6.66A，VDD=140V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C；
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3.基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线

图1.输出特性图2.传输特性
100100
变量
VGS=4.5V-55°C
VGS=5V25°C
VGS=5.5V150°C
)
)VGS=6V
A
A
(
(1010
D
DVGS=7V
I
I

VGS=8V
–
–

VGS=10V
VGS=15V
11
漏极电流漏极电流

注：注：
1.250µS