非晶硅薄膜太阳电池及制造工艺[1].pdf
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相关资料
非晶硅薄膜太阳电池及制造工艺[1].pdf
一种非晶硅薄膜太阳电池膜系和薄膜太阳电池以及薄膜太阳电池的制造方法.pdf
本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池膜系,该膜系包括一个由第一非晶硅p-i-n结和第二非晶硅p-i-n结重叠设置的双结层p-i-n/p-i-n,所述第二非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层设置于所述第一非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上,所述第一非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+层,所述第二非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上设置有重掺杂的N+层,该膜系结构为P+/p-i-n/p-i-n/N+。重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用,同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子
用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法.pdf
本发明涉及一种制备多晶硅薄膜的方法,具体的说就是利用金属锡在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法。本发明方法的主要技术方案:1、对玻璃衬底用丙酮和去离子水分别进行超声波清洗,使玻璃衬底清洁;2、在玻璃衬底上用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)生长一层非晶硅(a-Si:H)薄膜,沉积时衬底温度为200℃左后,薄膜厚度为200nm-300nm;3、在非晶硅薄膜上用物理气相沉积法生长一层金属锡(Sn)薄膜,厚度为10nm-20nm,得到衬底/(a-Si:H)/Sn结构;4、将衬底/(a-Si:H)/S
非晶硅薄膜成膜方法.pdf
本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法,包含:第1步,对覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理;第2步,对预热过的硅基板进行第一次等离子体处理;第3步,进行第一次非晶硅成膜;第4步,进行第二次等离子体处理;第5步,进行第二次非晶硅成膜。本发明所述的非晶硅薄膜成膜方法,能够有效的防止成膜时鼓包的存在,可以在使用微量掺杂元素的情况下获得较平坦化的非晶硅薄膜,同时该方法的可操作性较强,由于掺杂元素较少,又助于后续非晶硅薄膜的刻蚀残留改善。
一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置.pdf
本发明公开了一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置,包括支架和激光发生器,电机输出端连接转轴,转轴固定连接主动半齿轮,从动齿轮固定连接螺纹杆,螺纹杆另一端延伸至支架右侧内壁上,且通过轴承与支架转动连接,套管上端铰接连接第二连杆,第二连杆另一端铰接连接第二固定块,第二固定块固定安装在第二固定杆上,第一固定杆和第二固定杆分别与支架内壁滑动连接,直杆另一端固定连接连接块,连接块通过连接轴固定连接安装座,安装座上表面固定连接安装板,安装板上设置有激光发生器,激光发生器底面固定安装预留座,预留座上设置有与锲型块相适配的锲