降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115584503A(43)申请公布日2023.01.10(21)申请号202211281453.7(22)申请日2022.10.19(71)申请人安徽万磁电子有限公司地址231524安徽省合肥市庐江县石头镇工业园区(72)发明人裴明刚李小定袁敏(74)专利代理机构合肥锦辉利标专利代理事务所(普通合伙)34210专利代理师王利利(51)Int.Cl.C23F1/44(2006.01)C23F1/28(2006.01)C23F1/18(2006.01)C23F11/10(2006.01)权利要求书2页说明书8页(54)发明名称降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺(57)摘要本发明公开一种降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，涉及钕铁硼再利用技术领域。本发明用于解决不能在去除表面镍铜镍镀层的同时降低对烧结钕铁硼磁体的腐蚀性，以进一步提高钕铁硼磁体的再利用率的技术问题；退镀工艺的步骤包括退镀液配制、浸泡退镀、清洗干燥，退镀液以硝酸和氢氟酸为主成分；阳离子表面活性剂能够以氢键与硝酸、氢氟酸分子中的氢键合，使其氨基带上正电荷，带来良好表面活性的同时降低了氢氟酸的挥发性；配合乙二胺四乙酸四钠的金属络合作用以及活性缓蚀剂的缓蚀作用，使得退镀工艺能够高效完全的去除烧结钕铁硼磁体表面的镍铜镍镀层，降低对钕铁硼磁体的腐蚀性，提高钕铁硼磁体的再利用率。CN115584503ACN115584503A权利要求书1/2页1.降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、退镀液配制：将硝酸、氢氟酸、氨基磺酸、活性缓蚀剂、阳离子表面活性剂、乙二胺四乙酸四钠加入到水中，分散均匀得到退镀液；活性缓蚀剂由五硫化二磷与苯甲醇发生取代反应，再与吩噻嗪成盐得到；阳离子表面活性剂由三聚氰胺与N‑异丙基‑2‑氯乙酰苯胺发生亲核取代反应得到中间体1，对甲苯磺酰氯再与三聚氰胺发生亲核取代反应得到阳离子表面活性剂；S2、浸泡退镀：将退镀液加入退镀槽内，具有镍铜镍镀层的烧结钕铁硼磁体置于退镀液内，保持退镀液温度20～35℃，每隔1～2min翻转烧结钕铁硼磁体，直至烧结钕铁硼磁体表面的镍铜镍镀层褪去；S3、清洗干燥：取出烧结钕铁硼磁体，去离子水清洗去除表面残留的退镀液，得到退镀烧结钕铁硼磁体。2.根据权利要求1所述的降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，其特征在于，退镀液中保持硝酸、氢氟酸、氨基磺酸、活性缓蚀剂、阳离子表面活性剂、乙二胺四乙酸四钠的质量体积浓度分别为90～130g/L、30～55g/L、12～28g/L、3～8g/L、2～6g/L、1～3g/L。3.根据权利要求1所述的降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，其特征在于，所述活性缓蚀剂的制备方法包括以下步骤：步骤一，称取五硫化二磷和甲苯，加入配备冷凝回流、机械搅拌器的三口烧瓶内，室温搅拌下采用恒压滴液漏斗滴加苯甲醇，滴加完毕后，油浴升温回流，搅拌至反应体系澄清，继续保温反应5～6小时，停止加热，待反应液冷却至室温，活性炭脱色，减压抽滤得到混合液a；步骤二，向混合液a中加入甲苯，冰水浴、机械搅拌下加入吩噻嗪，搅拌2～4小时，升温至35～50℃，保温搅拌3～5小时，减压抽滤，甲苯和石油醚依次交替洗涤3次，滤饼使用乙酸乙酯和石油醚的混合溶剂重结晶，晶体于30～45℃真空干燥得到白色粉末状的活性缓蚀剂。4.根据权利要求3所述的降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，其特征在于，所述五硫化二磷、苯甲醇的摩尔比为1：3.2～4，甲苯的用量为五硫化二磷重量的5～10倍；所述吩噻嗪与五硫化二磷的摩尔比为2.2～2.6：1，混合溶剂中乙酸乙酯和石油醚的体积比为1：3～5。5.根据权利要求1所述的降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，其特征在于，所述阳离子表面活性剂的制备方法包括以下步骤：步骤一，将三聚氰胺粉末、甲苯加入配备机械搅拌器的三口烧瓶内，‑5～5℃的冰乙醇浴下机械搅拌，将溶解于甲苯的N‑异丙基‑2‑氯乙酰苯胺通过滴液漏斗滴加至三口烧瓶内，滴加浓度30～40wt％的碳酸钠溶液保持体系pH为9～10，搅拌反应3～4小时后，减压抽滤，使用浓度0.01～0.03mol/L的盐酸溶液洗涤至pH为5～6，再使用0.03～0.06mol/L的碳酸氢钠水溶液洗涤至中性，有机相使用无水硫酸钠除水，减压浓缩，冷却、干燥得到中间体1；步骤二，将中间体1与甲苯混合，加入三口烧瓶内，‑10～‑2℃的冰乙醇浴下机械搅拌，溶解于甲苯的对甲苯磺酰氯滴加入三口烧瓶内，滴加完毕后，升温至30～40℃，保温反应16～20小时，加入甲醇，减压抽滤，石油醚洗涤，滤液烘干得到阳离子表面活性剂。2CN115584503A权利要求书2/2页6.根据权