半导体器件物理(第二章 PN结答案).pdf

2024-08-19

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半导体器件之pn结器件.pptx

pn结二极管pn结静态特性回顾理想pn结正偏电流-电压特性pn结的小信号模型空间电荷区中的产生与复合电流（非理想特性）pn结二极管的击穿特性pn结二极管的开关特性同质pn结性质回顾同一均匀半导体冶金结空间电荷区内建电场耗尽区零偏pn结pn结的零偏、反偏和正偏零偏状态下内建电势差形成的势垒维持着p区和n区内载流子的平衡内建电场造成的漂移电流和扩散电流相平衡pn结两端加正向偏压Va后，Va基本上全降落在耗尽区的势垒上；由于耗尽区中载流子浓度很小，与中性P区和N区的体电阻相比耗尽区电阻很大。势垒高度由平衡时的e

2024-08-11

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半导体物理PN结.pptx

半导体物理第六章PN结什么是PN结？PN结的典型工艺方法（1）：杂质浓度从p区到n区逐渐变化，称为缓变结。PN结的形成机理（1）：内电场作用促进少子的漂移运动，使N区的少子空穴向P区漂移，P区的少子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体

2024-01-26

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硅台面半导体器件的PN结保护方法.pdf

硅台面半导体器件的PN结保护方法，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜，并采用掩膜的方法，去除多余的SIPOS薄膜，只在PN结表面保留SIPOS薄膜；再将玻璃粉的稀释混合液涂敷在硅片表面，低温焙烧后，去除多余的玻璃粉，再将硅片置于扩散炉内，在O2气氛中烧结。本发明采用半绝缘多晶硅（SIPOS）叠加玻璃钝化膜代替传统单一的玻璃钝化膜直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的工艺方法，以提高钝化效果。

2023-06-20

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半导体物理基础----PN结PPT.ppt

半导体物理基础PN结PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程PN结制作工艺过程2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结2.1热平衡PN结在空间电荷区，载流子浓度不发生变化，因此准费米能级不变。2-3理想PN结的直流电流－电压特性该电场将使得电子有类似的分布，以中和过

2024-09-09

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