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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113383036A(43)申请公布日2021.09.10(21)申请号202080012493.4(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所(22)申请日2020.02.1311247代理人李渊茹段承恩(30)优先权数据2019-0247942019.02.14JP(51)Int.Cl.2019-0758682019.04.11JPC08K5/3435(2006.01)C08K5/372(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C08L101/02(2006.01)2021.08.04G03F7/11(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据G03F7/20(2006.01)PCT/JP2020/0054282020.02.13G03F7/26(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L21/027(2006.01)C08G63/58(2006.01)WO2020/166635JA2020.08.20(71)申请人日产化学株式会社地址日本东京都(72)发明人上林哲远藤贵文桥本雄人远藤勇树岸冈高广坂本力丸权利要求书1页说明书25页(54)发明名称包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物(57)摘要提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6~40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。CN113383036ACN113383036A权利要求书1/1页1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有:包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述聚合物为具有至少1个二硫键的2官能以上的化合物(A)、与不同于所述化合物(A)的2官能以上的化合物(B)的反应生成物。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述自由基捕获剂为具有环结构或硫醚结构的化合物(T)。4.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述环结构为碳原子数6~40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。5.根据权利要求3所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述化合物(T)包含羟基、碳原子数1~10的烷基或碳原子数1~20的烷氧基。6.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述2官能以上的化合物(B)包含碳原子数6~40的芳香环结构、或杂环结构。7.根据权利要求1~6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,其进一步包含交联催化剂。8.根据权利要求1~7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物,其进一步包含交联剂。9.一种抗蚀剂下层膜,其特征在于,是由权利要求1~8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。10.一种制造半导体装置所使用的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法,其包含下述工序:在半导体基板上涂布权利要求1~8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序;在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序;将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序;以及将曝光后的所述抗蚀剂膜显影的工序。11.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包含下述工序:在半导体基板上形成由权利要求1~8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜的工序;在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序;将所述抗蚀剂膜曝光的工序;将曝光后的所述抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案的工序;通过经由所形成的所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻,从而形成被图案化了的抗蚀剂下层膜的工序;以及利用被图案化了的所述抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。2CN113383036A说明书1/25页包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物技术领域[0001]本发明涉及在半导体制造中的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外,涉及应用了上述抗蚀剂下层膜形成用组合物的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。背景技术[0002]在半导体制造中,在基板与形成在其上的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜,形成所希望的形状的抗蚀剂图案的光刻工艺是众所周知的。在专利文献1中公开了包含主链具有二硫键的聚合物和溶剂的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1:国际公开第2009/096340号公报发明内容[0006]发明所要解决的课题[0007]在半导体装置制造中的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物在