

纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
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纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
提供在高温烧成时也显示异常高的疏水性、良好的平坦化性,可以通过变更分子骨架来调整为适应于工艺的光学常数、蚀刻速度的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂,[在式(1)中,基A表示具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基,基B表示具有芳香族环或稠合芳香族环的有机基,基E表示单键、或者可以被取代且可以包含醚键和/或羰基的支链或直链的碳原子数1~10的亚烷基,基D表示式(2)所示的碳原子数1~15的有机基,n
抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜,并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:(A)下述式(I)所示的交联性化合物;以及(D)溶剂。[式中,n为2~6的整数,n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基,n个A各自独立地表示?OCH<base:Sub>2</base:Sub>CH(OH)CH<base:Sub>2</base:Sub>O?、或(BB
抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数,对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。<base:Imagehe=@430@wi=@615@file=@DDA0003586299600000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orient
抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜,并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:(A)下述式(I)所示的交联性化合物;以及(D)溶剂。[式中,n为2~6的整数,n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基,n个A各自独立地表示?OCH<base:Sub>2</base:Sub>CH(OH)CH<base:Sub>2</base:Sub>O?、或(BB
包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6~40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。