一种低硬度铜排的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113517090A(43)申请公布日2021.10.19(21)申请号202110387506.2C25D5/18(2006.01)(22)申请日2021.04.10C25F1/04(2006.01)H01B5/02(2006.01)(71)申请人江西中晟金属有限公司B21D22/02(2006.01)地址335000江西省鹰潭市(贵溪)铜产业循环经济基地(72)发明人周涛(74)专利代理机构南昌中擎知识产权代理事务所(普通合伙)36148代理人韩平英(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)C22C9/00(2006.01)C22C1/10(2006.01)C22F1/08(2006.01)C25D3/12(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种低硬度铜排的制备方法(57)摘要本发明公开了一种低硬度铜排的制备方法，包括以下步骤：1)按照百分比铜75‑85％和石墨5‑8％的配比称取原料，进行冶炼，制得铜箔；2)选取铜箔40‑55份，将铜箔放入氢氧化钠溶液55‑75份内电解加工，3‑5min后取出；3)取出后清水清洗表面，再放入烘干机内烘干；4)将烘干后的铜箔放入挤压机内，在温度350‑650℃下，连续挤压3次，获得铜排；5)将铜排放置电镀液内进行电镀，温度为60‑90℃，电镀液包括硫酸镍20‑40份、聚苯胺20‑40份、硫酸铵30‑‑45份、柠檬酸钠10‑20份、焦磷酸钠35‑45份、甲酸10‑15份和次亚磷酸钠10‑20份，在预设时间后取出；6)将步骤4中的铜排进行冷却处理，冷却至常温后，进行收卷保存。本发明通过多次挤压，减少内部铸造气孔、缩松缺陷，提高抗拉强度。CN113517090ACN113517090A权利要求书1/1页1.一种低硬度铜排的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照百分比铜75‑85％和石墨5‑8％的配比称取原料，进行冶炼，制得铜箔；2)选取铜箔40‑55份，将铜箔放入氢氧化钠溶液55‑75份内电解加工，3‑5min后取出；3)取出后清水清洗表面，再放入烘干机内烘干；4)将烘干后的铜箔放入挤压机内，在温度350‑650℃下，连续挤压3次，获得铜排；5)将铜排放置电镀液内进行电镀，温度为60‑90℃，电镀液包括硫酸镍20‑40份、聚苯胺20‑40份、硫酸铵30‑‑45份、柠檬酸钠10‑20份、焦磷酸钠35‑45份、甲酸10‑15份和次亚磷酸钠10‑20份，在预设时间后取出；6)将步骤4中的铜排进行冷却处理，冷却至常温后，进行收卷保存。2.如权利要求1所述的一种低硬度铜排的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，所述冷却处理为以冷却速度为5℃/s，将温度冷却至250‑400℃，冷却至250‑400℃后，再以冷却速度为10℃/s，将温度冷却至100‑250℃，温度冷却至100‑250℃后，再以冷却速度为8℃/s冷却至常温。3.如权利要求2所述的一种低硬度铜排的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，在脉冲化学的条件下进行电镀，脉冲频率为2000‑5000kHz。4.如权利要求1所述的一种低硬度铜排的制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，在温度350‑400℃下，对铜箔进行第一次挤压，挤压完毕后，以加热速度为3℃/s，将温度加热至410‑500℃后，对铜箔进行第二次挤压，挤压完毕后，以加热速度为4℃/s，将温度加热至510‑650℃后，对铜箔进行第三次挤压，挤压完毕后，保持温度30‑45min，取出，获得铜排。5.如权利要求1所述的一种低硬度铜排的制备方法，其特征在于，所述电镀时间为10‑35s。2CN113517090A说明书1/3页一种低硬度铜排的制备方法技术领域[0001]本发明涉及铜排制备技术领域，尤其涉及一种低硬度铜排的制备方法。背景技术[0002]软铜排为多层铜箔叠层加工成型，铜排是一种大电流导电产品，适用于高低压电器、开关触头、配电设备、母线槽等电器工程，也广泛用于金属冶炼、电化电镀、化工烧碱等超大电流电解冶炼工程。[0003]但现有的软铜排硬度虽然低于硬铜排，但抗拉强度也低，韧性不足易断。发明内容[0004]本发明为了解决现有技术的上述不足，提出了一种低硬度铜排的制备方法。[0005]为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：一种低硬度铜排的制备方法，包括以下步骤：[0006]1)按照百分比铜75‑85％和石墨5‑8％的配比称取原料，进行冶炼，制得铜箔；[0007]2)选取铜箔40‑55份，将铜箔放入氢氧化钠溶液55‑75份内电解加工，3‑5min后取出，利用电解工艺，去除铜箔上的氧化层；[0008]3)取出后清水清洗表面，再放入烘干机内烘干；[0009]4)将烘干后的铜箔放入挤