单晶片化学机械单面抛光机的的设计.doc

毕业论文（设计）立题表
立题题目单晶片抛光机的设计题目来源□来源于生产实际□来源于科研项目□其他题目性质□基础研究□应用研究□应用基础研究□其他题目完成形式□毕业论文□毕业设计申请立题教师杜宏伟职称讲师从事专业机械工程立题说明：
CMP技术是超大规模集成电路制造过程中的关键技术之一,CMP设备作为技术的载体，是集机械和化学抛光技术优势于一体的先进抛光设备，是原始硅片、氧化物、钨、层间介质、浅沟道隔离、多晶硅等膜片抛光的优选设备，是铜互连技术中必不可少的先进制造设备。它已成为设备制造行业进入下一代工艺设备市场的新挑战，只有迎接挑战，开发工艺及设备，以保障工业持续发展和综合技术逐步提高。CMP设备的研究开发工作过去主要集中在以美国为主的联合体SEMATECH，现在己发展到全球，如欧洲联合体JESSI、法国研究公司LETI和CNET等，日本在CMP方面发展很快，并且还从事硅片CMP设备供应。我国台湾和韩国也在CMP方面研究较多，但我国国内在CMP设备方面的研究者甚少。国内硅片制造水平与国外相比有较大差距，仍以直径100~150mm的硅片为主流产品，直径为200mm的硅片才开始规模生产，生产设备，几乎都要从国外引进。因此，我们必须依靠自己的力量研究具有自主知识产权的大直径硅片的超精密加工技术与设备。
本课题设计一台晶片双面化学机械抛光实验机，提高加工效率和精度。其工件为浮动状态，上下抛光盘同时对工件进行抛光加工。机床主要用于抛光硅片、钽酸锂和铌酸锂等单晶薄片材料。教研室意见

教研室主任签名：年月日毕业论文（设计）领导工作小组意见：

教学院长签名：年月日青岛农业大学毕业论文（设计）任务书

论文（设计）题目单晶片抛光机的设计
要求完成时间2014.6
论文（设计）内容（需明确列出研究的问题）：1、首先进行机床总体方案设计，比较机床方案实现的难易程度，并综合考虑机床的加工精度要求，进行方案确定。其次，进行抛光机床的总体设计和相关主要零部件的结构设计，及相关部件的选型计算；最后，绘制机床的装配图和各非标准件零件图。
有关规格及技术参数：最大工作转速：抛光盘：5~100r/min，可实现无级调速。抛光头0~95r/min；
最大工作压力：0.7MPa，抛光压力连续可调。
最大工件加工直径:300mm（抛光盘直径：860mm）。
抛光盘回转精度：<8m；抛光盘端面跳度：<8m。
2、撰写设计说明书；

资料、数据、技术水平等方面的要求查阅文献13篇以上，阅读与课题有关的外文资料2篇以上（研究性论文），要求到图书馆阅览室阅读大量中文和外文书籍，查找与本设计相关的有用资料，仔细研究，同时做好记录。根据调查研究的结果，以事实为依据撰写论文，论文规范合理，论据充分，字数不少于8000字。

指导教师签名：
年月日