花瓣状氧化铜纳米片的制备方法及花瓣状氧化铜纳米片的应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113735157A(43)申请公布日2021.12.03(21)申请号202111109932.6(22)申请日2021.09.18(71)申请人武汉大学地址430072湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学(72)发明人刘晓伟杨宝朔艾远(74)专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222代理人齐晨洁(51)Int.Cl.C01G3/02(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称花瓣状氧化铜纳米片的制备方法及花瓣状氧化铜纳米片的应用(57)摘要本发明提供一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将铜盐溶解到乙醇中制成铜盐溶液，将硫化物溶解到去离子水中制成硫化物溶液；步骤S2：将铜盐溶液和硫化物溶液混合得到混合溶液；步骤S3：将混合溶液在120～180℃加热1～2h，得到干燥的灰黑色中间产物，冷却至室温；步骤S4：将中间产物倒入去离子水中，并滴入氨水进行二次反应，之后，过滤、洗涤、干燥，得到花瓣状氧化铜纳米片。本发明通过引入氨水进行瞬时的二次反应，实现了花瓣状氧化铜纳米片的制备，产物具有良好的花瓣形态，且具有小尺寸的特点。CN113735157ACN113735157A权利要求书1/1页1.一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：将铜盐溶解到乙醇中制成铜盐溶液，将硫化物溶解到去离子水中制成硫化物溶液；步骤S2：将铜盐溶液和硫化物溶液混合得到混合溶液；步骤S3：将混合溶液在120～180℃加热1～2h，得到干燥的灰黑色中间产物，冷却至室温；步骤S4：将中间产物倒入去离子水中，并滴入氨水进行二次反应，之后，过滤、洗涤、干燥，得到花瓣状氧化铜纳米片。2.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，铜盐为硝酸铜或碳酸铜。3.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，硫化物为硫化钠或硫化钾。4.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，铜盐溶液的浓度为0.1～0.2mol/L，硫化物溶液的浓度为0.1～0.2mol/L；步骤S2中，铜盐溶液和硫化物溶液用量的体积比为(1～2)：1。5.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，氨水质量浓度为25.0～28.0％，中间产物和氨水的配比为10mg：(1～4)ml。6.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，滴加氨水完毕后，立即进行过滤操作。7.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，干燥温度为50～60℃，干燥时间为0.5～1h。8.根据权利要求1所述的花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，洗涤时，依次用去离子水和丙酮洗涤。9.如权利要求1至8中任意一项所述的制备方法得到的花瓣状氧化铜纳米片在光电和光热材料领域的应用。2CN113735157A说明书1/4页花瓣状氧化铜纳米片的制备方法及花瓣状氧化铜纳米片的应用技术领域[0001]本发明属于半导体纳米材料制备方法领域，特别涉及一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法。背景技术[0002]氧化铜(CuO)是一种重要的p型过渡金属氧化物，具有窄带隙(Eg＝1.2～1.9eV)，自然资源丰富、低价无毒、合成简单，由于其独特的光、热、电等性质在气体传感器、太阳能光伏、锂离子电池、光催化等各种应用中受到广泛关注。[0003]虽然目前也已经有大量关于氧化铜制备方法的报道，如水热法、化学沉淀法、溶胶‑凝胶法、电化学法、煅烧法等，但很多方法多少具有需要高温高压，反应时间长、需要特殊环境(如高温高压、特殊气体、添加剂等)或设备、过程复杂等缺点。比如：路军等人公开的一种片状纳米氧化铜的制备方法及应用(CN110436508A)，提到了煅烧法，具有工艺流程简单等特点，但需要300～600℃的高温；王小三等人公开的一种花状氧化铜纳米球的合成方法及应用(CN111517358A)中，提到了冷热回流法，在常温常压反应，但需要特殊的冷热回流设备，且需要添加剂。因此，开发一种流程简单，反应条件要求低，无需添加剂，无需高温高压，无需特殊气体环境、易于大规模应用也具有很重要的意义。发明内容[0004]针对背景技术存在的问题，本发明提供一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法。[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：[0006]一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：[0007]步骤S1：将铜盐溶解到乙醇中制成铜盐溶液，将硫化物溶解到去离子水中制成硫化物溶液；