一种二硫化钼纳米片的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113860371A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202111289730.4(22)申请日2021.11.02(71)申请人陕西科技大学地址710021陕西省西安市未央区大学院区陕西科技大学(72)发明人许并社欧阳辉灿尚林(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223代理人徐云侠(51)Int.Cl.C01G39/06(2006.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种二硫化钼纳米片的制备方法(57)摘要本发明属于二维层状材料制备技术领域，具体涉及一种二硫化钼纳米片的制备方法，包括以下步骤：S1、将二硫化钼粉末置于分散剂中，制备均一分散液；S2、将S1制备的均一分散液进行超声处理；S3、将S2超声处理后的分散液进行梯度离心处理，取上清液即可获得二硫化钼纳米片分散液；本发明方法所用原料简单，制备方法简单，制备周期较短而且可得到较为均匀的二硫化钼纳米片。CN113860371ACN113860371A权利要求书1/1页1.一种二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将二硫化钼粉末置于分散剂中，制备均一分散液；S2、将S1制备的均一分散液进行超声处理；S3、将S2超声处理后的分散液进行梯度离心处理，取上清液即可获得二硫化钼纳米片分散液。2.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，S1中，所述分散剂为N,N‑二甲基甲酰胺和水制成的混合溶剂、N‑甲基吡咯烷酮和水制成的混合溶剂或异丙醇和水制成的混合溶剂。3.根据权利要求2所述的二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，S1中，所述二硫化钼：N,N‑二甲基甲酰胺或N‑甲基吡咯烷酮或异丙醇：H2O的用量比为0.1g～0.35g：60～80mL：20mL。4.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，S1中，先采用磁力搅拌制备所述分散剂，搅拌时间为20～30min，再将二硫化钼粉末加至所述分散剂中，继续磁力搅拌10～20min，制备均一分散液。5.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，S2中，所述超声处理的功率为100～300W，超声时间为7～10h。6.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，S3中，所述梯度离心处理具体是先在转速为2000～3000r/min下离心20～30min，之后继续在转速5000～6000r/min下离心10～20min。2CN113860371A说明书1/3页一种二硫化钼纳米片的制备方法技术领域[0001]本发明属于二维层状材料制备技术领域，具体涉及一种二硫化钼纳米片的制备方法。背景技术[0002]近年来，随着人们对二维层状材料的不断研究，其已发展为材料科学领域备受关注的研究对象之一。从定义上来说，二维层状材料仅限于单原子层的纳米材料，但是目前人们把单层或少层的纳米材料也归属于二维层状材料。二维层状材料具有低密度、高机械强度、低摩擦系数、良好的导热性等优点，在能源、环境、电子、生物等方面得到了广泛的应用。二维层状材料包括石墨烯、黑磷、六方氮化硼、过渡金属硫族化合物、过渡金属氧化物等，人们通常把与石墨烯类似的层状材料称为类石墨烯层状材料，对不同类石墨烯二维材料的光学、电学、催化等方面性质的研究发现，这些类石墨烯二维材料在电子器件、晶体管、能量存储、催化等方面表现出了优异的性能。[0003]二硫化钼是上述材料中的一种，目前对于二硫化钼纳米片的制备大多过程较为复杂和繁琐，且需要做很多准备工作，因此有必要提供一种制备工艺简单、制备周期短且制备原料易获得的方法来制备二硫化钼纳米片。发明内容[0004]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种二硫化钼纳米片的制备方法。[0005]本发明具体是通过如下技术方案来实现的。[0006]一种二硫化钼纳米片的制备方法，包括以下步骤：[0007]S1、将二硫化钼粉末置于分散剂中，制备均一分散液；[0008]S2、将S1制备的均一分散液进行超声处理；[0009]S3、将S2超声处理后的分散液进行梯度离心处理，取上清液即可获得二硫化钼纳米片分散液。[0010]优选的，S1中，所述分散剂为N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)和水制成的混合溶剂、N‑甲基吡咯烷酮(NMP)和水制成的混合溶剂或异丙醇和水制成的混合溶剂。[0011]优选的，S1中，所述二硫化钼：N,N‑二甲基甲酰胺或N‑甲基吡咯烷酮或异丙醇：H2O的用量比为0.1g～0.35g：60～80mL：20mL。[0012]优选的，先采用磁力搅拌制备所述分散剂，搅拌时间为20～30min，再将二硫化钼粉末加至所述分散剂中，继续磁力搅拌10～