半导体光接收装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103985768103985768A(43)申请公布日2014.08.13(21)申请号201310614577.7(22)申请日2013.11.28(30)优先权数据2013-0256602013.02.13JP(71)申请人三菱电机株式会社地址日本东京都(72)发明人增山祐士中路雅晴久义浩(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人何立波张天舒(51)Int.Cl.H01L31/02(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书7页说明书7页附图20页附图20页(54)发明名称半导体光接收装置(57)摘要本发明涉及半导体光接收装置。提供了一种能减少对头部上表面的引线接合数的半导体光接收装置。半导体光接收装置（10）具备头部（20）、高频放大器（AMP）以及次黏着基台（SB）。高频放大器（AMP）设置在头部（20）上，并具有上表面，在该上表面具备高频接地焊盘（62）。在次黏着基台（SB）的上表面设置有比次黏着基台的上表面小的半导体光接收元件（APD）。次黏着基台（SB）的上表面具有接合半导体光接收元件（APD）的电极焊盘（67）和设置在其旁边的电极焊盘（66）。高频接地焊盘（62）与电极焊盘（66）通过引线（53）而被连接。CN103985768ACN10398576ACN103985768A权利要求书1/1页1.一种半导体光接收装置，其特征在于，具备：头部；高频放大器，设置在所述头部上，并且具有上表面，在该上表面具备高频接地焊盘；次黏着基台，设置在所述头部上，并且具有上表面；以及半导体光接收元件，设置在所述次黏着基台的上表面，所述半导体光接收元件比所述次黏着基台的上表面小，所述次黏着基台的上表面具有接合所述半导体光接收元件的第一电极焊盘和设置在所述第一电极焊盘的旁边的第二电极焊盘，所述高频接地焊盘与所述第二电极焊盘通过引线而被连接。2.根据权利要求1所述的半导体光接收装置，其特征在于，在将与所述头部的上表面垂直的方向设为高度方向的情况下，将所述头部的上表面与所述高频接地焊盘之间的高度设为第一差，将所述高频接地焊盘与所述第二电极焊盘之间的高度设为第二差，所述第二差比所述第一差小。3.根据权利要求1所述的半导体光接收装置，其特征在于，所述高频放大器与所述次黏着基台以所述高频放大器与所述次黏着基台相接的方式被邻接地配置在所述头部上。4.根据权利要求1所述的半导体光接收装置，其特征在于，所述头部具备凹部，所述凹部具备底面和包围所述底面的侧面，所述底面与所述侧面以超过90度的角度进行连结，在所述底面上设置有所述高频放大器和所述次黏着基台，在平面视图中，将所述凹部的边缘与所述高频接地焊盘上的所述引线的连接点之间的距离设为第一距离，将所述高频接地焊盘上的所述引线的连接点与所述第二电极焊盘上的所述引线的连接点之间的距离设为第二距离，所述第二距离比所述第一距离小。5.根据权利要求1所述的半导体光接收装置，其特征在于，所述头部在表面实施了镀金，所述高频放大器和所述次黏着基台的至少一方通过包含银和粘合剂树脂的银膏被接合在所述头部上。6.根据权利要求1所述的半导体光接收装置，其特征在于，所述第二电极焊盘在平面视图中具备折弯部和凸部的至少一方。7.根据权利要求1所述的半导体光接收装置，其特征在于，所述第二电极焊盘具有导体图案部和电阻比所述导体图案部高的电阻图案部。2CN103985768A说明书1/7页半导体光接收装置技术领域[0001]本发明涉及半导体光接收装置。背景技术[0002]以往，已知例如像在日本特开2006-253676号公报中所公开的那样，对被称为干部（stem）或头部（header）的固定构件设置凹部，在该凹部内装载有电子部件的半导体光接收装置。具体地说，该公报的半导体光接收装置在干部上装载有半导体光接收元件和前置放大器IC。干部的主面中的装载有这些光接收元件和前置放大器IC的装载区域与其它区域相比低一级地形成。由此，能使从前置放大器IC的电极朝向干部表面的接合线（bondingwire）的长度变短。[0003]现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-253676号公报；专利文献2：日本实开平5-004534号公报；专利文献3：日本特开2003-134051号公报。[0004]发明要解决的课题上述现有技术的半导体光接收装置采用所谓的CAN封装构造，对头部上表面进行引线接合（wirebonding）。在这样的情况下，不得不在头部上表面确保固定的空间，必须不可避免地较宽地获取头部上表面的区域。因此，存在不得不使头部上表面变大或降低电子部件的安装密度等问题。发明内容[0005]本发明是为了解决上述那