《LED芯片制作》.ppt
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《LED芯片制作》.ppt
MOCVD实物图...........Hallmeasurement.-72015.0图形衬底生长GaN在Si衬底上生长出了表面无裂纹的GaN材料。LED外延片产品LED芯片主要工序LED芯片详细工序..........LED工作原理...........
LED芯片的制作工艺及其LED芯片.pdf
一种LED芯片的制作工艺,包括:在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层;在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层;在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层;在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层;在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层;剥离或者移除蓝宝石衬底;在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极;将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片;将上述多个单颗LED芯片的反射金属层,键合到金属基板
LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构.pdf
本公开涉及色转换技术领域,尤其涉及一种LED芯片结构的制作方法及LED芯片结构,方法包括以下步骤:在芯片本体上涂覆二氧化硅材料,使其完全覆盖芯片本体的表面,以在芯片本体上形成二氧化硅覆盖层;对二氧化硅覆盖层的对应芯片本体内发光单元的位置刻蚀至使芯片本体的部分表面显露,以形成隔离矩阵槽;向二氧化硅覆盖层上涂覆色转换材料,直至完全填充隔离矩阵槽,以形成色转换层,本公开使二氧化硅覆盖层和芯片本体的氮化镓之间形成材料隔离分界线,保证了刻蚀过程中的刻蚀终点明确,从而避免了损伤到芯片本体内部的发光单元,保护了芯片本体
LED芯片制作流程.pptx
LED芯片制作流程报告内容LED芯片结构LED制造过程LED制程工艺外延片制作衬底外延可用LED衬底GaAs衬底蓝宝石Al2O3衬底SiC衬底Si衬底Si衬底制备流程外延生长P、N极的分离表现为元素掺杂度的不同外延生长方法MOCVD双气流MOCVD生长GaN装置MOCVD外延片绿光外延片管芯制作蒸发光刻划片裂片分拣外延片甩胶:将少许光刻胶滴在外延片上用匀胶台在高速旋转后形成均匀的胶膜。前烘:使光刻胶的溶剂挥发用于改善光刻胶与样品表面的粘附性。曝光:用紫外光通
LED芯片制作流程.pdf
LED芯片制作流程分为两大部分。首先在衬底上制作氮化镓(CAN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉种完成的。准备好制作CaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AIN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面,通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作L