LED芯片的制作工艺及其LED芯片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103515488103515488A(43)申请公布日2014.01.15(21)申请号201210208831.9(22)申请日2012.06.25(71)申请人杭州华普永明光电股份有限公司地址311305浙江省杭州市临安市青山湖街道泉口村15号(72)发明人吕华丽(74)专利代理机构上海汉声知识产权代理有限公司31236代理人胡晶(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/48(2010.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图2页附图2页(54)发明名称LED芯片的制作工艺及其LED芯片(57)摘要一种LED芯片的制作工艺，包括：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。CN103515488ACN103548ACN103515488A权利要求书1/2页1.一种LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。2.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。3.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述电极偏向一边，以便于封装焊线。4.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述金属基底的厚度为0.3到1mm。5.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述金属基底，材质包括铜、镍、金、铝、铬、铂、锌或者其他合金。6.如权利要求1所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，还包括：所述n型Ⅲ族氮化物半导体层与蓝宝石沉底接触的表面进行粗糙化，以便于增加出光率。7.一种LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片，将上述LED芯片喷溅n型电极，并延伸到反射金属层；将上述单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，金属基板的面积大于外延片的面积。8.如权利要求7所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，所述金属基板包含两片，一片与正极连接，一片与负级连接。9.如权利要求7或8所述的LED芯片的制作工艺，其特征在于，金属基板的面积大于外2CN103515488A权利要求书2/2页延片的面积小于外延片面积的4-8倍。10.一种LED芯片，其特征在于，包括：一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层，设置在所述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层，设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面；反向穿隧层，设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；一层或者多层反射金属层，设置在上述反向穿隧层的上表面；n型电极，设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层的下表面；所述反射金属层键合在金属基板上，其中，金属基板大于外延片，以便于封装焊接，并且键合之前还包括将上述晶元划裂成的多个单颗LED芯片。11.如权利要求10所述的一种LED芯片，其特征在于，金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。12.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在