化学气相沉积技术PPT课件.pptx
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123456温度:800~1200ºC,形成所谓高温氧化层(HighTemperatureOxidelayer,HTO)。可用水蒸气或氧气作为氧化剂,称为湿氧化或干氧化(wetordryoxidation)。氧化环境中通常含有百分之几的盐酸(HCl),用于去除氧化物中的金属离子。891011121314151617181920212223242526272829302024/8/1132333435363738394041424344454647484950515253545556575859606120
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化学气相沉积技术目录CVD(化学气相沉积法):化学气相沉积是在一定的真空度和温度下,将几种含有构成沉积膜层的材料元素的单质或化合物反应源的气体,通过化学反应而生成固态物质并沉积在基材上的成膜方法。CVD法的主要特点CVD法制备薄膜的过程常见的CVD反应方式CVD反应物质源CVD制备薄膜时基材的温度区域CVD装置的组成CVD装置的选择影响CVD沉积层质量的因素CVD的种类CVD的应用CVD的发展Theend此课件下载可自行编辑修改,此课件供参考!部分内容来源于网络,如有侵权请与我联系删除!感谢你的观看!
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123456温度:800~1200ºC,形成所谓高温氧化层(HighTemperatureOxidelayer,HTO)。可用水蒸气或氧气作为氧化剂,称为湿氧化或干氧化(wetordryoxidation)。氧化环境中通常含有百分之几的盐酸(HCl),用于去除氧化物中的金属离子。891011121314151617181920212223242526272829302024/2/9323334353637383940414243444546474849505152535455565758596061202
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第六章化学气相沉积MSI时代nMOS晶体管的各层膜ULSI硅片上的多层金属化芯片中的金属层6.1CVD概述6.1CVD概述6.1CVD概述6.1CVD概述6.1CVD概述6.1CVD概述6.2CVD工艺原理边界层理论6.2CVD工艺原理6.2CVD工艺原理结论:(1)淀积速率与Cg(反应剂的浓度)或者Y(反应剂的摩尔百分比)成正比;(2)在Cg或者Y为常数时,薄膜淀积速率将由Ks和hg中较小的一个决定。升高温度可以提高淀积速率但随着温度的上升,淀积速率对温度的敏感度不断下降;当温度高过某个值后,淀积速率受
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化学气相沉积化学气相沉积概述一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理一、化学气相沉积的原理二、化学气相沉积的工艺方法二、化学气相沉积的工艺方法二、化学气相沉积的工艺方法二、化学气相沉积的工艺方法加热方式二、化学气相沉积的工艺方法卧式开管CVD装置立式CVD装置二、化学气相沉积的工艺方法二、化学气相沉积的工艺