半导体封装件及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113611612A(43)申请公布日2021.11.05(21)申请号202110672893.4(22)申请日2021.06.17(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市(72)发明人李秋雯张简千琳李长祺(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L23/498(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/373(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图8页(54)发明名称半导体封装件及其形成方法(57)摘要本发明提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供中介层，中介层上设置有复数个电子元件；在中介层的上表面上进行第一次模制，以形成包覆复数个电子元件的第一模制化合物；在中介层的下表面上设置复数个第一焊球；在中介层的下表面上进行第二次模制，以形成与中介层的下表面接触的第二模制化合物。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。CN113611612ACN113611612A权利要求书1/2页1.一种形成半导体封装件的方法，其特征在于，包括：提供中介层，所述中介层上设置有复数个电子元件；在所述中介层的上表面上进行第一次模制，以形成包覆所述复数个电子元件的第一模制化合物；在所述中介层的下表面上设置复数个第一焊球；在所述中介层的下表面上进行第二次模制，以形成与所述中介层的所述下表面接触的第二模制化合物，所述第二模制化合物包覆所述复数个第一焊球。2.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在进行所述第二次模制后，执行平坦化工艺以去除所述第二模制化合物的部分和所述第一焊球的部分；在所述第一焊球的剩余部分上设置助溶剂；回流所述第一焊球的所述剩余部分以形成第二焊球。3.根据权利要求2所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，所述第二焊球与所述第二模制化合物之间具有第一气隙。4.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在进行所述第二次模制后，执行平坦化工艺以去除所述第二模制化合物的部分和所述第一焊球的部分；在所述第一焊球的剩余部分上设置焊料；回流所述焊料，使得所述焊料与所述第一焊球的所述剩余部分一起形成第三焊球。5.根据权利要求4所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，所述第三焊球的部分周壁贴合所述第二模制化合物。6.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在设置所述复数个第一焊球之后，设置包覆所述复数个第一焊球的下部的释放层；在所述释放层和所述中介层之间填充所述第二模制化合物；去除所述释放层，所述复数个第一焊球的下部由所述第二模制化合物暴露。7.根据权利要求6所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在将所述释放层包覆所述复数个第一焊球的下部之前，将所述释放层设置在铸模槽上，在填充所述第二模制化合物后，将所述铸模槽和所述释放层一同移除。8.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，所述中介层的材料包括硅。9.根据权利要求1所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在完成所述第二次模制之后，对所述第一模制化合物、所述中介层和所述第二模制化合物进行切割，以得到单片化的所述半导体封装件。10.根据权利要求9所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，所述复数个电子元件并排设置在所述中介层上，在所述切割后，所述半导体封装件包括两个或两个以上的所述电子元件。11.一种半导体封装件，其特征在于，包括：中介层；复数个电子元件，位于所述中介层的上表面上；2CN113611612A权利要求书2/2页第一模制化合物，包覆所述复数个电子元件；多个焊球，位于所述中介层的下表面上；第二模制化合物，接触所述中介层的所述下表面并且围绕所述焊球，部分所述焊球于所述第二模制化合物暴露。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述焊球和所述第二模制化合物之间具有第一气隙。13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述焊球的最大高度大于所述焊球的最大宽度。14.根据权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一模制化合物的侧壁、所述中介层的侧壁以及所述第二模制化合物的侧壁共面。15.根据权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述焊球的上部和所述第二模制化合物接触。16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其特征在于，所述焊球的最大高度小于所述焊球的最大宽度。17.根据权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述复数个电子元件为具有不同功效的芯片。18.根据权利要求11所述的半导体封装件，