半导体封装件及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113851445A(43)申请公布日2021.12.28(21)申请号202110950014.X(22)申请日2021.08.18(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市(72)发明人施佑霖李志成(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L23/498(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图18页(54)发明名称半导体封装件及其形成方法(57)摘要本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：引线架；芯片，位于引线架中；介电层，包覆引线架和芯片；重布线层，位于芯片的主动面以及介电层上，重布线层接触芯片的主动面，重布线层具有延伸在介电层和主动面上的第一阶梯结构，位于介电层上的重布线层的部分低于芯片的主动面。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。CN113851445ACN113851445A权利要求书1/2页1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：引线架；芯片，位于所述引线架中；介电层，包覆所述引线架和所述芯片；重布线层，位于所述芯片的主动面以及所述介电层上，所述重布线层接触所述芯片的所述主动面，所述重布线层具有延伸在所述介电层和所述主动面上的第一阶梯结构，位于所述介电层上的所述重布线层的部分低于所述芯片的主动面。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一阶梯结构的下表面包括朝向所述芯片的角部渐缩的第一曲面。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，位于所述介电层上的所述重布线层的部分的上表面高于所述芯片的所述主动面。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述重布线层的厚度大于所述主动面和所述介电层的顶面之间的高度差。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述重布线层的厚度大于30μm。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述重布线层具有延伸在所述介电层和所述引线架上的第二阶梯结构，位于所述介电层上的所述重布线层的部分低于所述引线架的顶面。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二阶梯结构的下表面包括朝向所述引线架的角部渐缩的第二曲面。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述引线架的顶面和所述主动面齐平。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述芯片还包括位于所述主动面上的接垫。所述重布线层覆盖所述接垫。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，在所述芯片的所述主动面和所述重布线层之间未设置所述介电层。11.一种形成半导体封装件的方法，其特征在于，包括：将芯片设置在引线架中；将胶带真空压合所述芯片的主动面和所述引线架的顶面，所述主动面陷入所述胶带；形成包覆所述引线架和所述芯片的介电层；移除所述胶带；将重布线层直接形成在所述主动面上。12.根据权利要求11所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在所述芯片的所述主动面陷入所述胶带时，在所述主动面和所述胶带之间不存在气泡。13.根据权利要求11所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在移除所述胶带后，所述主动面和所述介电层的顶面之间存在高度差。14.根据权利要求11所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在所述主动面陷入所述胶带时，所述引线架的顶面也陷入所述胶带。15.根据权利要求11‑14任一项所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在形成所述重布线层时，形成所述重布线层的延伸在所述介电层和所述主动面上的第一阶梯结2CN113851445A权利要求书2/2页构。16.根据权利要求11‑14任一项所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，在形成所述重布线层时，形成所述重布线层的延伸在所述介电层和所述引线架上的第二阶梯结构。17.根据权利要求16所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，还包括：对所述引线架的未被所述保护层覆盖的背侧进行蚀刻，以形成线路。18.根据权利要求11所述的形成半导体封装件的方法，其特征在于，所述芯片具有位于所述主动面上的接垫，在所述主动面陷入所述胶带时，所述接垫也陷入所述胶带。3CN113851445A说明书1/4页半导体封装件及其形成方法技术领域[0001]本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。背景技术[0002]以引线架(Leadframe)为基础的先芯片(chipfirst)的扇出(fanout)制程，通常在芯片的主动面面向下的直接铜互连(DirectCuInterconnect