半导体封装件及其形成方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115799236A(43)申请公布日2023.03.14(21)申请号202111051625.7(22)申请日2021.09.08(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市(72)发明人吕文隆(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L25/16(2023.01)H01L23/16(2006.01)H01L23/66(2006.01)H01L23/12(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图29页(54)发明名称半导体封装件及其形成方法(57)摘要本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板，基板的上表面的部分具有容置空间，光子芯片，位于基板上，光子芯片的第一侧的第一部分位于容置空间中并电连接至容置空间，光子芯片的感光区位于容置空间外；光纤，位于基板上，光纤发出的光直接耦合到光子芯片的感光区。本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以降低封装结构的耦合损耗。CN115799236ACN115799236A权利要求书1/1页1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板的上表面的部分具有容置空间，光子芯片，位于所述基板上，所述光子芯片的第一侧的第一部分位于所述容置空间中并电连接至所述容置空间的第一侧壁处的所述基板，所述光子芯片的感光区位于所述容置空间外；光纤，位于所述基板上，所述光纤发出的光直接耦合到所述光子芯片的所述感光区中的感光元件。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述光纤和所述光子芯片的所述感光区位于同一高度处。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：底部填充材料，位于所述光子芯片和所述基板之间，所述底部填充材料未包覆所述感光区。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：透光胶，位于所述底部填充材料上，所述透光胶包覆所述感光区并位于所述光纤的光耦合至所述感光区的感光元件的路径上。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述容置空间具有V形截面。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：电子元件，位于所述基板上并且位于所述容置空间之外，所述电子元件位于所述光纤的光耦合至所述感光区的路径之外。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述光子芯片的所述第一侧是有源侧。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述光子芯片的所述感光区的所述感光元件包括波导。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述波导的端部具有光栅，所述光栅的截面是非矩形。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述光子芯片和所述光纤接触。2CN115799236A说明书1/6页半导体封装件及其形成方法技术领域[0001]本申请的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。背景技术[0002]硅光子(Si‑Ph)结构中，若要将光纤阵列单元(fiberarrayunite，FAU)与光子芯片(photonicIC，PIC)之间采用光栅耦合(Gratingcoupling)方式进行耦光。参见图1A，现有工艺中需要借由镜面(Mirror)11将光栅15发出的光导入PIC13的波导(Waveguider，WG)，这样的结构本身使得光的路径变长(路径需要转折)，并且若是斜边角度未能准确把控，不正确的斜边角度使得反射的光未能精准地照向PIC13并且可能产生光折射(虚线箭头所示)，进一步增大了耦合损耗(例如，光折射的损耗或者不正确的反射光角度)，因此需要能降低耦合损耗的封装结构。发明内容[0003]针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体封装结构及其形成方法，以降低封装结构的耦合损耗。[0004]为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板，基板的上表面的部分具有容置空间，光子芯片，位于基板上，光子芯片的第一侧的第一部分位于容置空间中并电连接至容置空间，光子芯片的感光区位于容置空间外；光纤，位于基板上，光纤发出的光直接耦合到光子芯片的感光区。[0005]在一些实施例中，光纤和光子芯片的感光区位于同一高度处。[0006]在一些实施例中，还包括：底部填充材料，位于光子芯片和基板之间，底部填充材料未包覆感光区。[0007]在一些实施例中，还包括：透光胶，位于底部填充材料上，透光胶包覆感光区并位于光纤的光耦合至感光区的路径上。[0008]在一些实施例中，还包括：透光胶，包封整个光子芯片并且位于基板和光子芯片之间。[0009]在一些实施例中，还包括：电子元件，位于基板上并且位于容置空间之外，电子元件位于光纤的光耦合至感光区的路径之外。[