沟槽型MOS器件的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113628972A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202110775149.7(22)申请日2021.07.07(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人钱佳成冯超刘秀勇陈正嵘(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人罗雅文(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称沟槽型MOS器件的制作方法(57)摘要本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽型MOS器件的制作方法包括提供制作有沟槽栅结构的衬底；在所述衬底表面形成可透过紫外线光的氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在介质层表面形成顶部金属层；沉积钝化层；对所述钝化层进行光刻和刻蚀；利用紫外线光照射所述衬底；解决了目前沟槽型MOS器件在介质层下方加垫氮化硅薄膜后，沟道漏电变大的问题；达到了改善沟槽型MOS器件沟道漏电的效果。CN113628972ACN113628972A权利要求书1/1页1.一种沟槽型MOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供制作有沟槽栅结构的衬底；在所述衬底表面形成可透过紫外线光的氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在介质层表面形成顶部金属层；沉积钝化层；对所述钝化层进行光刻和刻蚀；利用紫外线光照射所述衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化层进行光刻和刻蚀，包括：通过光刻工艺在所述钝化层表面定义钝化层图案；根据所述钝化层图案刻蚀所述钝化层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述利用紫外线光照射所述衬底之前，所述方法还包括：通过高温炉管工艺，对刻蚀后的钝化层进行合金。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述利用紫外线光照射所述衬底之后，所述方法还包括：通过高温炉管工艺，对刻蚀后的钝化层薄膜进行合金。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽栅结构位于外延层中，所述外延层位于所述衬底表面。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述介质层中形成接触孔，包括：通过光刻工艺在所述介质层表面定义接触孔图案；根据所述接触孔图案刻蚀所述介质层，形成接触孔。2CN113628972A说明书1/4页沟槽型MOS器件的制作方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种沟槽型MOS器件的制作方法。背景技术[0002]功率器件是进行功率处理的半导体器件，功率MOSFET器件是功率器件的一种。沟槽型MOS器件由于其集成度高、导通电阻较低等特点，被广泛应用在汽车电子、电源管理、稳压器等领域。[0003]由于沟槽型MOS器件中的介质层和钝化层捕捉、阻挡可移动离子能力的不足，在沟槽型MOS器件的可靠性测试中，会出现部分管芯的可靠性不通过。为了提高可靠性通过率，在形成介质层之前，先在外延层表面形成一层氮化硅薄膜，通过氮化硅薄膜阻挡外界可移动离子对器件的侵入。[0004]然而，介质层和外延层之间的氮化硅薄膜不仅阻止了外界可移动离子的侵入，也阻挡了在线工艺产生的电荷从器件中释放，最终导致器件的沟道漏电变大。发明内容[0005]为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种沟槽型MOS器件的制作方法。该技术方案如下：[0006]一方面，本申请实施例提供了一种沟槽型MOS器件的制作方法，该方法包括：[0007]提供制作有沟槽栅结构的衬底；[0008]在衬底表面形成可透过紫外线光的氮化硅层；[0009]在氮化硅层表面形成介质层；[0010]在介质层中形成接触孔；[0011]在介质层表面形成顶部金属层；[0012]沉积钝化层；[0013]对钝化层进行光刻和刻蚀；[0014]利用紫外线光照射衬底。[0015]可选的，对钝化层进行光刻和刻蚀，包括：[0016]通过光刻工艺在钝化层表面定义钝化层图案；[0017]根据钝化层图案刻蚀钝化层。[0018]可选的，利用紫外线光照射衬底之前，该方法还包括：[0019]通过高温炉管工艺，对刻蚀后的钝化层进行合金。[0020]可选的，利用紫外线光照射衬底之后，该方法还包括：[0021]通过高温炉管工艺，对刻蚀后的钝化层薄膜进行合金。[0022]可选的，沟槽栅结构位于外延层中，外延层位于衬底表面。[0023]可选的，在介质层中形成接触孔，包括：[0024]通过光刻工艺在介质层表面定义接触孔图案；3CN113628972A说明书2/4页[0025]根据接触孔图案刻蚀介质层，形成接触孔。[0026]本申请技术方案，至少包括如下优点：[0027]通过在制作有沟槽栅结构的