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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113625527A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202110811805.4(22)申请日2021.07.19(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人彭文斌栾会倩居碧玉李峰王奇黄凡(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)G03F9/00(2006.01)H01L23/544(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称翘曲晶圆对位标记设置方法(57)摘要本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种翘曲晶圆对位标记设置方法。包括:获取目标晶圆的翘曲数据,根据翘曲数据计算目标晶圆的翘曲方向;获取目标晶圆的实际对位标记分布图,根据理想对位标记分布图,判断实际对位标记分布图中的无效对位标记和有效对位标记;确定目标晶圆第一方向位移区和第二方向位移区,位于第一方向位移区中的实际对位标记相对于理想对位标记沿第一方向位移,位于第二方向位移区中的实际对位标记相对于理想对位标记沿第二方向位移;保留有效对位标记,在无效对位标记位置处设置补充对位标记,使得位于第一方向位移区中的补充对位标记沿第一方向延伸,使得位于第二方向位移区中的补充对位标记沿第二方向延伸。CN113625527ACN113625527A权利要求书1/1页1.一种翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述翘曲晶圆对位标记设置方法包括:获取目标晶圆的翘曲数据,根据所述翘曲数据计算所述目标晶圆的翘曲方向;获取所述目标晶圆的实际对位标记分布图,根据理想对位标记分布图,判断所述实际对位标记分布图中的无效对位标记和有效对位标记;确定所述目标晶圆第一方向位移区和第二方向位移区,位于所述第一方向位移区中的实际对位标记相对于理想对位标记沿第一方向位移,位于所述第二方向位移区中的实际对位标记相对于理想对位标记沿第二方向位移,所述第一方向和第二方向相互垂直;保留有效对位标记,在所述无效对位标记位置处设置补充对位标记,使得位于所述第一方向位移区中的补充对位标记沿所述第一方向延伸,使得位于所述第二方向位移区中的补充对位标记沿所述第二方向延伸。2.如权利要求1所述的翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述第一方向与所述目标晶圆的翘曲方向相同。3.如权利要求1所述的翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述第一方向位移区的边界位于以所述目标晶圆的中心为顶点,所述翘曲方向两侧第一角度所在位置。4.如权利要求3所述翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述第一角度为45°。5.如权利要求3所述的翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述第一方向位移区包括两个,两个所述第一方向位移区以所述目标晶圆的中心为共同的顶点。6.如权利要求5所述的翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述第二方向位移区位于两个所述第一方向位移区之间的目标晶圆区域。7.如权利要求1所述的翘曲晶圆对位标记设置方法,其特征在于,所述保留有效对位标记,在所述无效对位标记位置处设置补充对位标记,使得位于所述第一方向位移区中的补充对位标记沿所述第一方向延伸,使得位于所述第二方向位移区中的补充对位标记沿所述第二方向延伸的步骤中,所述补充对位标记相对于理想对位标记的位移方向与所述补充对位标记的延伸方向一致。2CN113625527A说明书1/4页翘曲晶圆对位标记设置方法技术领域[0001]本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种翘曲晶圆对位标记设置方法。背景技术[0002]在半导体集成电路制造过程中,需要进行大量的光刻。各层次的光刻在曝光前需要将该层的图形与在先层的图形对准,即光刻对位。该对位过程的目的在于将光刻版上的图形最大精度地覆盖在晶片已存在的图形上。尤其对于多层结构,其层与层间复合叠加时需要精确对准,避免层间连接出现问题。[0003]相关技术中,为辅助半导体器件层间对准,通常在介质层中印制对位标记,使得后续层级结构根据该对位标记与介质层对准叠加。[0004]但是,由于晶片上膜层之间的应力差别,从而使得晶片在应力作用下发生翘曲,且晶片尺寸越大,翘曲在晶片上表现越明显,进而使得晶片上对位标记的图形位移加剧,影响层与层之间的层间对准。发明内容[0005]本申请提供了一种翘曲晶圆对位标记设置方法,可以解决相关技术中对于翘曲晶圆,其对位标记的图形位移加剧而导致层间对准失效的问题。[0006]为了解决背景技术中的技术问题,本申请提供一种翘曲晶圆对位标记设置方法,所述翘曲晶圆对位标记设置方法包括:[0007]获取目标晶圆的翘曲数据,根据所述翘曲数