一种Micro-LED柔性触控显示屏低成本加工工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113707682A(43)申请公布日2021.11.26(21)申请号202110775948.4G09F9/30(2006.01)(22)申请日2021.07.09(71)申请人安徽菲尔慕材料有限公司地址236000安徽省阜阳市颍上县慎城镇经济开发区颍林路北侧兴民路西侧200米(72)发明人刘刚廖贻河(74)专利代理机构深圳紫晴专利代理事务所(普通合伙)44646代理人陈映辉(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/48(2010.01)H01L33/60(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种Micro-LED柔性触控显示屏低成本加工工艺(57)摘要本发明公开了一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，具体涉及柔性触控显示屏加工技术领域，包括以下步骤：步骤一、制作驱动电路基板；步骤二、制作LED磊晶薄膜结构；步骤三、批量转移：根据驱动电路基板上所需的显示像素点间距，转移基板的下表面富有弹性膜，Micro‑LED晶片粘附在弹性膜的表面；步骤四、焊接。本发明通过利用暂时转移基板批量转移Micro‑LED晶片，在转移的过程中利用带有磁性粉末的弹性膜和电磁铁将Micro‑LED晶片的转移到目标衬底上，从而能够顺利完成多个Micro‑LED晶片的批量转移，而且利用电磁铁与带有磁性的弹性膜进行批量转移，不仅结构简单，而且成本较低从而能够降低该生产步骤的成本，进而能够有效的降低整个Micro‑LED柔性触控显示屏的生产成本。CN113707682ACN113707682A权利要求书1/1页1.一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、制作驱动电路基板：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；由上至下依次刻蚀P型GaN层、量子阱发光层以及N型GaN层，形成第一沟槽；在P型GaN层上表面生长ITO层，并对ITO层进行刻蚀，生成第二沟槽；在第一沟槽中生成N型接触电极；在N型接触电极上表面以及第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极，以制成驱动电路基板；步骤二、制作LED磊晶薄膜结构：将三色光LED磊晶直接进行切割成同等规格大小的微米等级的Micro‑LED芯片，在Micro‑LED芯片表面沉积绝缘层并利用感应耦合等离子蚀刻，形成微米等级的Micro‑LED磊晶薄膜结构，再使用物理或化学机制剥离LED基板，以暂时转移基板承载LED磊晶薄膜结构形成显示像素；步骤三、批量转移：根据驱动电路基板上所需的显示像素点间距，然后将暂时转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜，Micro‑LED晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有多个电磁铁，而且在弹性膜的内部添加有磁粉；电磁铁与转移基板上某处Micro‑LED晶片对齐，当电磁铁通电时，电磁铁自身会携带有磁性并且与弹性膜中所含有的磁粉磁性相反，所以通电后的电磁铁会与弹性膜相斥，当基板上表面的电磁铁通电时，电磁铁底部所对应的弹性膜产生变形，并且会在Micro‑LED晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上以完成Micro‑LED晶片的转移；步骤四、焊接：将驱动电路基板与Micro‑LED晶片进行焊接，以制成Micro‑LED柔性触控显示屏，焊接的过程中焊接材料填充在第二沟槽中的反射电极周围并将其包围。2.根据权利要求1所述的一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，其特征在于：在步骤二中所使用到的剥离基板的技术是Liftoff技术，Liftoff技术包括epitaxiallift‑off——ELO、机械剥离、laserlift‑off和二维材料辅助层转移技术，其中在步骤二中所使用的是二维材料辅助层转移技术，Liftoff技术能够将epilayer转移到任何的衬底上，并且如果衬底在liftoff过程中没有损坏，昂贵的衬底还可以反复使用，从而降低器件生产的总成本。3.根据权利要求2所述的一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，其特征在于：所述二维材料辅助层转移技术需要独特的外延技术，如远端外延或范德华外延，使单晶薄膜在二维材料上生长，并且能够在较弱的范德华外延界面上容易脱落。4.根据权利要求1所述的一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，其特征在于：在步骤三中所述弹性膜由橡胶和磁粉制成，其中磁粉和橡胶的比例为1:5。5.根据权利要求1所述的一种Micro‑LED柔性触控显示屏低成本加工工艺，其特征在于：在步骤一中刻蚀第一沟槽和第二沟槽所使用的是氢氟酸。6.根据权利要求1所述的一种Micro‑LED柔