高速探测器钝化层结构及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113707539A(43)申请公布日2021.11.26(21)申请号202110790788.0(22)申请日2021.07.13(71)申请人武汉敏芯半导体股份有限公司地址430223湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号(72)发明人刘佳王权兵徐之韬赵雪妍王任凡(74)专利代理机构北京中强智尚知识产权代理有限公司11448代理人刘敏(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称高速探测器钝化层结构及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种高速探测器钝化层结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，可以解决目前在高速探测器钝化层结构生成过程中，无法判断是否发生蚀刻不净与过刻太多的情况，进而保证高速探测器芯片可靠性较低的技术问题。其中，高速探测器钝化层结构，包括：介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。CN113707539ACN113707539A权利要求书1/2页1.一种高速探测器钝化层结构，其特征在于，包括：介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。2.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述介质膜的厚度为80‑100nm。3.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述介质膜是利用等离子增强化学气相沉积设备生成的。4.一种高速探测器钝化层结构的制作方法，其特征在于，包括：在高速探测器表面上沉积介质膜，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；在所述介质膜上匀涂第一光刻胶，所述第一光刻胶为BCB胶；通过第一钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述介质膜和所述第一光刻胶构成的第一钝化层结构。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一钝化处理包括：在所述介质膜和所述第一光刻胶上进行曝光显影处理，使得在所述第一光刻胶上形成光刻胶图案；在进行高温固化处理后，通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率；根据所述蚀刻速率计算蚀刻完成时间，在所述蚀刻完成时间停止蚀刻处理。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：检测所述光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；若所述厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率，并根据所述蚀刻速率计算蚀刻完成时间；在所述蚀刻完成时间，检测所述光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；2CN113707539A权利要求书2/2页若所述厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在高速探测器表面上匀涂第一光刻胶；利用第二光刻胶并通过第二钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二钝化处理包括：对所述第一光刻胶进行曝光显影以及高温固化处理后，在所述高速探测器表面上匀涂第二光刻胶并进行显影以及高温固化处理，形成光刻胶图案；在所述光刻胶图案之外的区域，执行对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的蚀刻处理，以便利用所述第二光刻胶形成对所述第一光刻胶的蚀刻保护；在判定蚀刻完成后，去除所述光刻胶图案上的第二光刻胶。3CN