斜面探测器件封装结构及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113725303A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202111296649.9(22)申请日2021.11.04(71)申请人至芯半导体（杭州）有限公司地址310000浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层(72)发明人闫志超黄小辉李大超(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569代理人李胜强(51)Int.Cl.H01L31/0203(2014.01)H01L31/02(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称斜面探测器件封装结构及其制作方法(57)摘要本发明公开一种斜面探测器件封装结构，包括金属底座、绝缘功能模块、探测器芯片、第一金属导通柱和金属帽管。通过将信号接收窗口、探测器芯片均设置为与待测斜面平行，不仅能够在探测器件性能良好的状况下直接对待测斜面结构进行探测，藉以满足斜面结构探测应用对探测器件的需求，而且能够使探测器芯片接收到由信号接收窗口射入的全部辐射通量（比如光线等），相较于传统的金属管帽将信号接收窗口设置于管帽顶部，能够更好地保证应用环节对辐射通量的需求，提升探测器件对斜面结构的探测精度，进而解决现有技术存在的探测器件性能较差以及由于辐射通量接收率低而影响探测器件探测精度的问题。CN113725303ACN113725303A权利要求书1/2页1.一种斜面探测器件封装结构，其特征在于，包括：金属底座；绝缘功能模块，所述绝缘功能模块包括绝缘基板，所述绝缘基板倾斜设置于所述金属底座上；所述绝缘基板的朝向所述金属底座的一侧设置有背面导电层，所述绝缘基板的背离所述金属底座的一侧设置有正面导电层，所述正面导电层与所述背面导电层电连接；探测器芯片，所述探测器芯片设置于所述绝缘基板的背离所述金属底座的一侧，并与所述正面导电层电连接，形成斜面探测端；第一金属导通柱，所述第一金属导通柱的一端贯穿所述金属底座，并与所述背面导电层电连接，所述第一金属导通柱的另一端用于连接线路板；所述金属底座与所述第一金属导通柱之间绝缘设置；金属帽管，所述金属帽管倒扣于所述金属底座上，以将所述绝缘功能模块和所述探测器芯片封装于所述金属帽管和所述金属底座之间；所述金属帽管上设置有倾斜布置的信号接收窗口，所述信号接收窗口、所述探测器芯片以及待测斜面之间两两相互平行，所述探测器芯片能够接收由所述信号接收窗口射入的全部辐射通量。2.根据权利要求1所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述绝缘基板为陶瓷基板；所述金属底座的上表面开设有用于所述陶瓷基板插接的金属底座固定槽，所述陶瓷基板的底部设置用于与所述金属底座固定槽焊接的底部金属层。3.根据权利要求2所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述底部金属层、所述正面导电层和/或所述背面导电层为电镀铜层。4.根据权利要求1~3任意一项所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述绝缘基板上开设有过孔位，所述过孔位内穿设第二金属导通柱，所述第二金属导通柱的两端分别与所述正面导电层、所述背面导电层电连接。5.根据权利要求1~3任意一项所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述金属底座上开设有金属底座通孔，所述金属底座通孔内设置有金属底座带孔绝缘柱，所述金属底座带孔绝缘柱上开设有供所述第一金属导通柱穿过的金属底座带孔绝缘柱通孔。6.根据权利要求4所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述正面导电层包括间隔绝缘布置的第一正面导电功能区块和第二正面导电功能区块，所述第一正面导电功能区块和所述第二正面导电功能区块通过所述探测器芯片电连接形成斜面导通电路；所述背面导电层包括间隔绝缘布置的第一背面导电功能区块和第二背面导电功能区块，所述第一背面导电功能区块和所述第二背面导电功能区块上均开设有背面导电功能区块固定槽，任意一所述背面导电功能区块固定槽内均插设一所述第一金属导通柱；所述第一正面导电功能区块与所述第一背面导电功能区块之间，以及所述第二正面导电功能区块与所述第二背面导电功能区块之间均通过所述第二金属导通柱电连接。7.根据权利要求6所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，任意一所述第一金属导通柱均垂直于所述金属底座设置；任意一所述第一金属导通柱的顶端均设置为与所述绝缘基板平行的斜端面，所述背面导电功能区块固定槽的槽底平行于所述斜端面。8.根据权利要求1~3任意一项所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述探测器芯片为二极管芯片；所述探测器芯片平行于所述绝缘基板设置。9.根据权利要求1~3任意一项所述的斜面探测器件封装结构，其特征在于，所述金属管2CN113725303A权利要求书2/2页帽的顶部设置有与所述探测器芯片平行的斜切面，所述