钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103378128A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103378128103378128A(43)申请公布日2013.10.30(21)申请号201210113566.6(22)申请日2012.04.17(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人张海洋张城龙(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L21/316(2006.01)H01L21/318(2006.01)H01L21/311(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图4页附图4页(54)发明名称钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法(57)摘要一种钝化层结构及其形成方法和刻蚀方法，所述钝化层结构包括：第一钝化层；形成在第一钝化层的第二钝化层；形成在第二钝化层的氮化铝层。所述钝化层结构的形成方法包括：形成第一钝化层；在第一钝化层上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成氮化铝层。所述钝化层结构的刻蚀方法包括：在所述氮化铝层上形成光刻胶；曝光显影，使得所述光刻胶形成光刻胶图案；利用所述光刻胶图案刻蚀所述氮化铝层；利用所述氮化铝层作为掩模进行第一刻蚀，去除第一钝化层；进行第二刻蚀，去除第二钝化层。本发明能够避免原有的钝化层结构中在刻蚀时，由于光刻胶较薄产生的不必要刻蚀和光刻胶较厚产生的光刻胶残留物难以去除的现象，并优化钝化层的性能。CN103378128ACN103782ACN103378128A权利要求书1/2页1.一种钝化层结构，其特征在于，所述钝化层结构包括：第一钝化层；形成在第一钝化层上的第二钝化层；形成在第二钝化层上的氮化铝层。2.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述第一钝化层为氧化硅层。3.如权利要求2所述的钝化层结构，其特征在于，作为第一钝化层的所述氧化硅层为PETEOS。4.如权利要求1或2所述的钝化层结构，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅层。5.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述钝化层结构形成在铝垫层上方。6.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为7.一种钝化层结构的形成方法，其特征在于，包括：形成第一钝化层；在第一钝化层上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成氮化铝层。8.如权利要求7所述的钝化层结构的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层采用PETEOS的方法形成。9.如权利要求7所述的钝化层结构的形成方法，其特征在于，所述第二钝化层采用低压化学气相淀积法或等离子增强的化学气相淀积法的方法形成。10.如权利要求7所述的钝化层结构的形成方法，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅层。11.如权利要求7所述的钝化层结构的形成方法，其特征在于，所述氮化铝层采用低温等离子体原子层沉积的方式形成。12.如权利要求7所述的钝化层结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层结构形成在金属层上方。13.如权利要求12所述的钝化层结构的形成方法，其特征在于，所述金属层为铝垫层。14.一种钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述钝化层结构形成在金属层上，包括第一钝化层、形成在第一钝化层的第二钝化层、形成在第二钝化层的氮化铝层，所述刻蚀方法包括：在所述氮化铝层上形成光刻胶；曝光显影，使得所述光刻胶形成光刻胶图案；利用所述光刻胶图案作为掩模刻蚀所述氮化铝层；利用刻蚀后的氮化铝层作为掩模刻蚀第二钝化层和第一钝化层。15.如权利要求14所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀包括：进行第一刻蚀，去除第二钝化层；进行第二刻蚀，去除第一钝化层。16.如权利要求14所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述第一钝化层的形成方式为PETEOS。17.如权利要求14所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述氮化铝层的刻蚀方式为利用SF6进行电感耦合等离子体干法刻蚀。2CN103378128A权利要求书2/2页18.如权利要求14所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为19.如权利要求14所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，第一刻蚀中，主刻蚀气体为CF4、SiF4、NF3、CHF3和C2F6的一种或几种的组合，辅助气体为O2与N2。20.如权利要求14所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，第二刻蚀中，刻蚀气体包括含碳氟类气体，所述含碳氟类气体中碳元素和氟元素的比例控制在大于等于0.5。21.如权利要求20所述的钝化层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述含碳氟类气体为C4F6、C5F8或者C4F8。3CN103378128A说明书1/6页钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法技术领域[000