晶圆布局的设计方法及光刻机曝光系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113759665A(43)申请公布日2021.12.07(21)申请号202010486727.0(22)申请日2020.06.01(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人许威(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260代理人成丽杰(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称晶圆布局的设计方法及光刻机曝光系统(57)摘要本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆布局的设计方法及光刻机曝光系统。本发明中晶圆布局的设计方法，包括：提供初始晶圆布局下的晶圆的良率分布图；根据所述良率分布图确定所述晶圆的良率边缘位置；根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局，根据此种晶圆布局的设计方法得到的晶圆布局在生产时得到的合格晶粒的数目较多。CN113759665ACN113759665A权利要求书1/2页1.一种晶圆布局的设计方法，其特征在于，包括：提供初始晶圆布局下的晶圆的良率分布图；根据所述良率分布图确定所述晶圆的良率边缘位置；根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局。2.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于：所述良率边缘位置处的晶粒良率为预设良率值，所述预设良率值小于所述良率边缘位置靠近所述晶圆的圆心一侧位置处的晶粒良率、且大于或等于所述良率边缘位置远离所述圆心一侧位置处的晶粒良率。3.根据权利要求2所述的设计方法，其特征在于：所述预设良率值为0。4.根据权利要求2所述的设计方法，其特征在于：所述良率边缘位置呈包围所述圆心的封闭线条，且所述封闭线条为封闭曲线或封闭折线。5.根据权利要求4所述的设计方法，其特征在于：所述封闭曲线与所述晶圆的边缘线为同心圆。6.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，所述根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局，包括：确定所述初始晶圆布局中所述晶圆的圆心所在位置的晶粒；相对所述圆心以固定步进移动所述圆心所在位置的晶粒，以使所述初始晶圆布局发生偏移，其中，所述固定步进包括横向固定步进和纵向固定步进，所述横向固定步进沿所述横向方向，所纵向固定步进沿所述纵向方向；计算所述良率边缘位置内完整晶粒的数目；重复移动所述晶圆的圆心所在位置的晶粒，直至得到的所述完整晶粒的数目最多；将得到的所述完整晶粒的数目最多时对应的晶圆布局，确定为所述新的晶圆布局。7.根据权利要求6所述的设计方法，其特征在于，所述晶粒具有横边和纵边，所述横边具有横向尺寸，所述纵边具有纵向尺寸，所述横向固定步进不超过所述横向尺寸的一半，所述纵向固定步进不超过所述纵向尺寸的一半。8.根据权利要求6所述的设计方法，其特征在于：所述初始晶圆布局中所述晶圆的圆心所在位置的晶粒的中心点与所述圆心重合；或者，所述初始晶圆布局中所述晶圆的圆心所在位置的晶粒的任一顶点与所述圆心重合。9.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，所述提供初始晶圆布局下的晶圆的良率分布图，包括：根据晶圆洗边位置和所述晶粒尺寸确定所述初始晶圆布局；根据所述初始晶圆布局对所述晶圆进行曝光；对曝光后的所述晶圆进行检测得到所述初始晶圆布局下的所述良率分布图。10.根据权利要求9所述的设计方法，所述根据晶圆洗边位置和所述晶粒尺寸确定所述初始晶圆布局，包括：根据切割道的尺寸、单个shot中晶粒的布局、所述晶粒尺寸以及所述晶圆洗边位置计2CN113759665A权利要求书2/2页算得到所述初始晶圆布局。11.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，所述根据所述良率分布图确定所述晶圆的良率边缘位置，包括：确定所述晶圆的圆心与距离所述圆心最远的合格晶粒之间的距离为第一尺寸；以所述晶圆的圆心为原点、所述第一尺寸为半径得到封闭图形，将所述封闭图形所在位置作为所述良率边缘位置。12.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，所述根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局之后，还包括：根据所述新的晶圆布局进行晶圆曝光。13.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，所述根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局，包括：根据切割道的尺寸、单个shot中晶粒的布局、所述晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到所述新的晶圆布局。14.根据权利要求1所述的设计方法，其特征在于，在所述根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局之后，还包括：当所述新的晶圆布局下所述晶圆的良率分布图发生变化时，重新确定新的良率边缘位置并根据所述新的良率边缘位置重新计算得到更正后的新的晶圆布局。15.一种光刻机曝光系统，其特征在于，包括：至