具散热结构的基板结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113838832A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202010700312.9(22)申请日2020.07.20(30)优先权数据1091215152020.06.24TW(71)申请人欣兴电子股份有限公司地址中国台湾桃园市(72)发明人柯正达曾子章杨凯铭林溥如(74)专利代理机构北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙)11276代理人刘云贵(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图9页(54)发明名称具散热结构的基板结构及其制造方法(57)摘要一种具散热结构的基板结构及其制造方法，于强化结构层的顶部依序形成粗线路增层结构及细线路增层结构。于强化结构层的底部形成外接线路层及保护层。于强化结构层、粗线路增层结构和细线路增层结构内形成散热结构，且散热结构的多个散热部分别外露于强化结构层的底部及细线路增层结构的表面。由于细线路增层结构呈平坦状可直接与至少一个芯片电性连接，并且通过散热结构将芯片生成的热能，经由细线路增层结构及粗线路增层结构从外露于强化结构层的底部的散热部进行散热，借此达到提升散热效果及使用效能的目的。CN113838832ACN113838832A权利要求书1/2页1.一种具散热结构的基板结构，其特征在于，所述具散热结构的基板结构包括：强化结构层，具有相对的顶部及底部；粗线路增层结构，形成在所述强化结构层的顶部上；细线路增层结构，形成在所述粗线路增层结构上，并且与所述粗线路增层结构电性连接，所述细线路增层结构的表面呈平坦状且具有外露的多个连接垫；散热结构，形成在所述强化结构层、所述粗线路增层结构以及所述细线路增层结构内，所述散热结构的多个散热部分别外露于所述强化结构层的底部及所述细线路增层结构的表面；外接线路层，形成在所述强化结构层的底部，并且与所述粗线路增层结构电性连接，所述外接线路层具有连接面；保护层，形成在所述外接线路层及所述强化结构的底部上，所述保护层具有多个开口使所述外接线路层的部分连接面外露于所述保护层。2.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，进一步包括多个表面处理层，分别形成在所述细线路增层结构中外露的连接垫上，所述散热结构中外露的散热部上，以及所述外接线路层中外露的连接面上。3.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，所述细线路增层结构包括一层或多层的细线路层。4.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，所述粗线路增层结构中的多个粗线路的线宽是为大于10微米。5.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，所述细线路增层结构中的多个细线路的线宽是为小于或等于10微米。6.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，所述细线路增层结构上进一步电性连接至少一个芯片，所述芯片的多个接点分别与所述细线路增层结构中部分所对应的连接垫电性连接。7.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，所述粗线路增层结构的介电层的厚度大于所述细线路增层结构的介电层的厚度。8.根据权利要求1所述的具散热结构的基板结构，其特征在于，所述细线路增层结构中的多个细线路以及所述粗线路增层结构中的多个粗线路，与所述散热结构相互未连接。9.一种具散热结构的基板结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：于承载板上形成细线路增层结构，所述细线路增层结构包含散热结构的第一散热线路；于所述细线路增层结构上形成粗线路增层结构，且与所述细线路增层结构电性连接，所述粗线路增层结构包含所述散热结构的第二散热线路，且与所述第一散热线路连接；于所述粗线路增层结构上形成强化结构层，于所述强化结构层上形成所述散热结构的第三散热线路以及外接线路层，所述第三散热线路与所述第二散热线路连接，且所述第三散热线路具有多个散热部且外露于所述强化结构层，所述外接线路层与所述粗线路增层结构电性连接；移除所述承载板，使所述散热结构的第一散热线路的多个散热部外露所述细线路增层结构，以及所述细线路增层结构的多个连接垫外露。2CN113838832A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的具散热结构的基板结构的制造方法，其特征在于，于移除所述承载板之前，于所述强化结构层及所述外接线路层上设有保护层，所述保护层具有多个开口使所述外接线路层部分外露于所述保护层。11.根据权利要求10所述的具散热结构的基板结构的制造方法，其特征在于，于所述细线路增层结构中外露的连接垫上，所述散热结构中外露的散热部上，以及所述外接线路层中外露的部分上设有表面处理层。12.根据权利要求11所述的具散热结构的基