半导体存储器件及其操作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113838501A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202110036203.6(22)申请日2021.01.12(30)优先权数据10-2020-00770712020.06.24KR(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道(72)发明人林重昊(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363代理人许伟群阮爱青(51)Int.Cl.G11C11/406(2006.01)权利要求书4页说明书9页附图6页(54)发明名称半导体存储器件及其操作方法(57)摘要本申请公开了半导体存储器件及其操作方法。半导体存储器件包括：多个存储块，其包括多个字线；多个感测放大电路，每个感测放大电路由多个存储块之中的相邻存储块共享；刷新计数器，其适于产生计数地址，所述计数地址的值根据刷新命令而增加；地址储存电路，其适于通过在不同时间对激活地址进行采样来储存第一目标地址和第二目标地址；以及控制电路，其适于根据所述刷新命令来激活与所述计数地址和所述第一目标地址中的一个相对应的字线，以及根据激活命令来激活与所述激活地址和所述第二目标地址中的一个或多个相对应的至少一个字线。CN113838501ACN113838501A权利要求书1/4页1.一种半导体存储器件，包括：多个存储块，其包括多个字线；多个感测放大电路，所述多个感测放大电路中的每个由所述多个存储块之中的相邻存储块共享；刷新计数器，其适于：产生计数地址，所述计数地址的值根据刷新命令而增加；地址储存电路，其适于：通过在不同时间对激活地址进行采样来储存第一目标地址和第二目标地址；以及控制电路，其适于：根据所述刷新命令来激活与所述计数地址和所述第一目标地址中的一个相对应的字线，以及根据激活命令来激活与所述激活地址和所述第二目标地址中的一个或多个相对应的至少一个字线。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，当所述刷新命令的输入的数量小于第一阈值时，所述控制电路激活与所述计数地址相对应的字线，其中，当所述刷新命令的输入的数量达到所述第一阈值时，所述控制电路激活与所述第一目标地址相对应的字线。3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，当所述激活命令的输入的数量大于或等于第二阈值时，所述控制电路通过判断分别对应于所述激活地址和所述第二目标地址的存储块是否共享所述多个感测放大电路中的一个来激活与所述激活地址和所述第二目标地址中的一个或多个相对应的所述至少一个字线。4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述控制电路包括：刷新控制电路，其适于：根据所述刷新命令的输入的数量是否达到第一阈值来选择所述计数地址或所述第一目标地址，以及当所述激活命令的输入的数量大于或等于第二阈值时，根据将所述激活地址与所述第二目标地址进行比较的结果来选择所述第二目标地址，所述刷新控制电路适于提供选中的地址作为刷新地址；以及行控制电路，其适于：响应于所述激活命令来激活与所述激活地址相对应的字线，以及响应于所述刷新命令来激活与所述刷新地址相对应的字线。5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，当分别对应于所述激活地址和所述第二目标地址的存储块不共享所述多个感测放大电路中的任何感测放大电路时，所述刷新控制电路选择所述第二目标地址。6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，当分别对应于所述激活地址和所述第二目标地址的存储块与所述多个感测放大电路之中的任何感测放大电路彼此不共享时，所述行控制电路响应于所述激活命令而在激活与所述激活地址相对应的字线之后的一定间隔处激活与所述刷新地址相对应的字线。7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述刷新控制电路包括：模式控制电路，其适于：当所述刷新命令的输入的数量小于所述第一阈值时将第一选择信号使能，当所述刷新命令的输入的数量达到所述第一阈值时将第二选择信号使能，以及当所述激活命令的输入的数量大于或等于所述第二阈值时，根据比较结果来将第三选择信号使能；以及选择电路，其适于输出所述刷新地址。2CN113838501A权利要求书2/4页8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述模式控制电路包括：第一命令计数器，其适于：当所述刷新命令的输入的数量等于所述第一阈值时，将所述第一目标刷新模式信号使能；第二命令计数器，其适于：当所述激活命令的输入的数量大于或等于所述第二阈值时，将第二目标刷新模式信号使能；判定电路，其适于：通过根据所述第二目标刷新模式信号而将所述激活地址与所述第二目标地址进行比较来产生确定信号；以及模式设定电路，其适于：根据所述刷新命令、所述第一目标刷新模式信号和所述第二目标刷新模式信号以及所述确定信号来产生所述第一选择信号至所述第三选择信号。9.根据权利要求1