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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113851412A(43)申请公布日2021.12.28(21)申请号202111035720.8(22)申请日2021.09.03(71)申请人北京中科镭特电子有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区经海四路156号院14号楼1层C区(72)发明人侯煜张紫辰李纪东张昆鹏张喆张彪易飞跃杨顺凯李曼(74)专利代理机构北京兰亭信通知识产权代理有限公司11667代理人苑晨超(51)Int.Cl.H01L21/68(2006.01)H01L21/683(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称激光解键合方法(57)摘要本发明提供一种激光解键合方法,应用于具有晶圆与基板的叠层结构的解键合过程中,所述方法包括:采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射,以使所述叠层结构中的键合物质发生相变;对当前目标区域施加拉力,以使所述叠层结构的目标区域分离;确定下一目标区域的位置并将激光发生器进行移动,以使所述激光发生器能对下一目标区域进行照射的位置。本发明能够在对叠层结构的局部进行照射之后即对叠层结构进行分离,减少热损失,提高解键合效果。CN113851412ACN113851412A权利要求书1/2页1.一种激光解键合方法,其特征在于,应用于具有晶圆与基板的叠层结构的解键合过程中,所述方法包括:采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射,以使所述叠层结构中的键合物质发生相变;对当前目标区域施加拉力,以使所述叠层结构的目标区域分离;确定下一目标区域的位置并将激光发生器进行移动,以使所述激光发生器能对下一目标区域进行照射的位置。2.根据权利要求1所述激光解键合方法,其特征在于,确定下一目标区域的位置包括:沿所述叠层结构的周向以第一预定距离步进,以确定下一位置区域;依据下一位置区域的分离状态,确定下一目标区域的位置。3.根据权利要求2所述激光解键合方法,其特征在于,依据下一位置区域的分离状态,确定下一目标区域的位置包括:当下一位置区域的分离状态为未分离状态时,确定下一位置区域为下一目标区域;当下一位置区域的分离状态为已分离状态时,沿所述叠层结构的径向以第二预定距离步进,以确定下一目标区域。4.根据权利要求1所述激光解键合方法,其特征在于,确定下一目标区域的位置包括:沿所述晶圆的径向以第三预定距离步进,以确定下一目标区域的位置。5.根据权利要求4所述激光解键合方法,其特征在于,采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射包括:对所述目标区域中的当前目标点进行照射;沿所述晶圆的周向以第四预定距离步进,以确定当前目标区域中的下一点位置;当下一点位置为已照射位置时,停止对当前目标区域的照射;当下一点位置为未照射位置时,以下一点位置作为下一目标点。6.根据权利要求1所述激光解键合方法,其特征在于,采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射之前还包括:将透明吸盘与所述叠层结构的基板以第一吸附压力进行吸附,以使激光能透过所述透明吸盘对所述目标区域进行照射,并使所述透明吸盘能对所述目标区域施加拉力。7.根据权利要求6所述激光解键合方法,其特征在于,将透明吸盘与所述叠层结构的基板以第一吸附压力进行吸附之后还包括:获取能够透射所述透明吸盘的第一透射波长;获取能够透射所述基板的第二透射波长;依据所述第一透射波长和所述第二透射波长,确定所述激光的波长。8.根据权利要求6所述激光解键合方法,其特征在于,对当前目标区域施加拉力之前还包括:将所述透明吸盘与当前目标区域之间的吸附压力增加至第二吸附压力。9.根据权利要求6所述激光解键合方法,其特征在于,所述透明吸盘具有多个施力区域;所述对当前目标区域施加拉力包括:依据所述目标区域与施力区域的位置,确定待施加拉力的第一施力区域;2CN113851412A权利要求书2/2页对所述第一施力区域施加拉力。10.根据权利要求9所述激光解键合方法,其特征在于,所述透明吸盘具有多个施力区域集合,每个施力区域集合具有多个施力区域;其中,每个施力区域集合中的多个施力区域排列为环形,形成施力区域集合阵列;每个施力区域集合阵列均与所述透明吸盘同心设置。3CN113851412A说明书1/6页激光解键合方法技术领域[0001]本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种激光解键合方法。背景技术[0002]在半导体制程领域中,经常需要对半导体晶圆单片的厚度进行薄化,所以必须对具有厚度的半导体晶圆在加载集成电路后对背面进行薄化加工(研磨切削),而在加工过程中,通常会利用一基板将半导体晶圆暂时性键合(TemporaryBonding),而由基板在加工过程作为半导体晶圆的基底,以保护半导体晶圆在加工过程不因