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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113874788A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202080038359.1M·格拉姆H·J·M·梅杰JA范德布鲁克C瓦格纳(22)申请日2020.05.12···(74)专利代理(30)优先权数据机构中科专利商标代理有限责任19177154.22019.05.29EP公司1102119208574.42019.11.12EP代理人胡良均(85)PCT国际申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2021.11.23G03F7/20(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2020/0631702020.05.12(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/239430EN2020.12.03(71)申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人马库斯·艾德里纳斯·范德柯克霍夫权利要求书3页说明书19页附图7页(54)发明名称用于向衬底提供辐射的设备和方法(57)摘要描述了一种可操作以向衬底的多个目标区域提供名义剂量辐射的光刻设备和关联方法。名义剂量辐射经过多次曝光被提供给衬底的多个目标区域中的每个目标区域。将名义剂量辐射提供给每个目标区域涉及使目标区域的第一区域曝光于辐射,而目标区域的第二部分未被曝光于辐射(第一部分和第二部分的形状和配置取决于被成像的图案)。每个目标区域的曝光次数是根据描述衬底的该目标区域响应于接收到热负载的机械行为的数据来确定的。热负载对应于在目标区域的第一部分被提供名义剂量辐射时接收的热负载。CN113874788ACN113874788A权利要求书1/3页1.一种光刻设备,能够操作以向衬底的多个目标区域提供名义剂量辐射,其中所述名义剂量辐射经过多次曝光被提供给所述衬底的所述多个目标区域中的每个目标区域,每个目标区域的曝光次数是根据描述所述衬底的该目标区域响应于接收到热负载的机械行为的数据来确定的。2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述光刻设备被布置为使得所述名义剂量辐射经过多次曝光被提供给所述多个目标区域中的至少一个目标区域。3.根据权利要求2所述的光刻设备,其中所述名义剂量被提供给所述衬底的所述多个目标区域中的所述至少一个目标区域所经过的所述多次曝光被隔开一时间延迟。4.根据权利要求3所述的光刻设备,其中所述光刻设备能够操作以在所述时间延迟期间曝光所述衬底的至少一个其他目标区域。5.根据权利要求2至4中任一项所述的光刻设备,其中经过多次曝光被提供所述名义剂量辐射的所述多个目标区域中的所述至少一个目标区域被设置在所述衬底的外围部分处。6.根据权利要求2至5中任一项所述的光刻设备,其中经过多次曝光被提供所述名义剂量辐射的所述衬底的所述多个目标区域中的所述至少一个目标区域在每次曝光期间接收基本相等的辐射剂量。7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述光刻设备被布置为使得所述名义剂量辐射在单次曝光中被提供给所述衬底的所述多个目标区域中的至少一个目标区域。8.根据权利要求7所述的光刻设备,其中所述名义剂量辐射在单次曝光中被提供给所述衬底的不被用于制造集成电路系统的所有目标区域。9.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述数据根据所述辐射的图案的图案密度来描述所述衬底的机械行为。10.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述数据描述所述衬底响应于单次曝光时接收到所述名义剂量的机械行为。11.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,包括支撑所述衬底的衬底支撑件。12.根据权利要求11所述的光刻设备,其中所述数据根据由衬底支撑件施加在所述衬底上的力来描述所述衬底的机械行为。13.根据权利要求11或权利要求12所述的光刻设备,其中所述数据指示在单次曝光中接收到所述名义剂量辐射之后所述衬底的目标区域是否相对于所述衬底支撑件滑动。14.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中每个目标区域的曝光次数被确定为使得光刻产出被优化。15.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中所述光刻设备是扫描设备,并且其中通过控制所述衬底相对于所述辐射移动的速度来控制由所述衬底的目标区域接收的辐射剂量。16.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,其中通过控制所述辐射的功率来控制由所述衬底的目标区域接收的辐射剂量。17.根据权利要求16所述的光刻设备,其中所述辐射是脉冲的,并且其中通过控制所述辐射的重复率来控制所述辐射的所述功率。18.一种光刻设备,能够操作以向衬底的多个目标区域提供名义剂量辐射,其中所述名2CN113874788A权利要求书2/3页义剂量辐射经过多次曝光被提供给所述衬底的所述多个目标区域中的每个目标区域,每个目标区域的曝光次数是根据该目标区域在所述衬底上的位