一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113910010A(43)申请公布日2022.01.11(21)申请号202111331940.5B28D5/04(2006.01)(22)申请日2021.11.11B28D5/02(2006.01)(71)申请人哈尔滨工业大学地址150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号(72)发明人李琛胡玉秀张飞虎朴银川王勇斐魏宗泽(74)专利代理机构北京君恒知识产权代理有限公司11466代理人姜有维(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B19/22(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B41/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图6页(54)发明名称一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床(57)摘要本发明涉及半导体材料加工，更具体的说是一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床。一种硬脆半导体材料的加工方法，包括以下步骤：S1、采用等离子体流降低硬脆半导体材料表面的硬度；S2、采用金刚石材质的打磨件对硬脆半导体材料表面进行磨削。上述加工方法还使用一种硬脆半导体材料等离子体机械复合磨削机床，所述机床包括：等离子体存储器，以及固定并连通在等离子体存储器上的等离子体传送管道；还包括砂轮磨削机构，所述砂轮磨削机构包括能够水平与纵向调节的金刚石砂轮；其中，等离子体传送管道能够调至准金刚石砂轮处，目的是可以提高硬脆半导体材料表面加工的质量。CN113910010ACN113910010A权利要求书1/1页1.一种硬脆半导体材料的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用化学反应的方式降低硬脆半导体材料表面的硬度；S2、采用机械摩擦方式对硬脆半导体材料表面进行磨削。2.根据权利要求1所述的加工方法，所述S1中，所述化学反应为采用等离子体流。3.根据权利要求2所述的加工方法，所述S2中，所述机械摩擦采用金刚石材质的打磨件。4.一种硬脆半导体材料等离子体机械复合磨削机床，用于实施根据权利要求3所述的方法，所述机床包括：等离子体存储器(11)，以及固定并连通在等离子体存储器(11)上的等离子体传送管道(10)，以及固接并连通在离子体传送管道(10)自由端的等离子体喷嘴(58)；还包括砂轮磨削机构(1)，所述砂轮磨削机构(1)包括砂轮固定装置(6)，以及设置在砂轮固定装置(6)后端的砂轮转轴衬套(26)，以及通过砂轮固定装置(6)驱动且转动连接在砂轮转轴衬套(26)内的砂轮转轴(25)，以及与砂轮转轴(25)传动连接的金刚石砂轮(20)；其中，等离子体喷嘴(58)能够调至准金刚石砂轮(20)处。5.根据权利要求4所述的机床，还包括安装在等离子体存储器(11)上且靠近金刚石砂轮(20)一侧的传送管道可伸缩支柱(57)，以及固接在可伸缩支柱(57)自由端上的传送管道支架(56)，等离子体传送管道(10)设置在传送管道支架(56)上。6.根据权利要求5或4所述的机床，还包括用于驱动砂轮固定装置(6)升降的砂轮磨削机构升降台(7)。7.根据权利要求6所述的机床，还包括使驱动砂轮固定装置(6)左移的砂轮左侧移动机构(5)，以及使驱动砂轮固定装置(6)右移的砂轮右侧移动机构(8)，以及固接在砂轮磨削机构升降台(7)上用于对驱动砂轮固定装置(6)的左右两侧进行限位的砂轮移动机构左侧挡板(4)和砂轮移动机构右侧挡板(9)。8.根据权利要求7所述的机床，还包括行星盘工件装夹机构，所述行星盘工件装夹机构包括自身轴线与砂轮转轴(25)轴线平行的行星盘工件装夹主轴(47),以及能够绕行星盘工件装夹主轴(47)轴线转动的四个周向均匀分布的吸附件，所述吸附件与金刚石砂轮(20)的位置能够对应。9.根据权利要求8所述的机床，还包括调节行星盘工件装夹主轴(47)的行星盘升降平台(3)，所述调节的方式包括转动、升降和左右移动。10.根据权利要求9所述的机床，所述行星盘升降平台(3)调节行星盘工件装夹主轴(47)位置的结构与砂轮磨削机构(1)中调节金刚石砂轮(20)位置的结构相同。2CN113910010A说明书1/4页一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床技术领域[0001]本发明涉及半导体材料加工，更具体的说是一种硬脆半导体材料的加工方法及其磨削机床。背景技术[0002]硬脆半导体材料可以用作大型射频器件和功率器件中，如卫星、基站、雷达、无线充电器件和电源开关等。硬脆半导体材料不仅应用于航空航天和国防领域中，而且国内外民用行业也广泛使用硬脆半导体材料作为功率器件的基材，如国外的PI、纳微，国内的英诺塞科、TI、英飞凌、安世、EPC和大连芯冠等企业。硬脆半导体在射频和功率方面的优势是显著的，其驱动消耗小，工作频率高；无反向恢复带来的损耗和可靠性