堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102163559A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102163559A(43)申请公布日2011.08.24(21)申请号201010246686.4(22)申请日2010.08.04(30)优先权数据12/707,7522010.02.18US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市(72)发明人吴文进邱文智眭晓林(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003代理人姜燕陈晨(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/98(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图12页(54)发明名称堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法(57)摘要本发明揭示一种堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法，该堆叠装置的制造方法包括经由第一粘着层及第二粘着层而将一晶片接合至一承载板，其中晶片与承载板的边缘区被第一粘着层覆盖，但未被第二粘着层覆盖。进行晶片边缘清洁工艺，以去除邻近晶片边缘的第一粘着层而露出承载板的边缘区，接着自承载板处去除第二粘着层。自晶片卸离承载板之后，去除余留在晶片上的第一粘着层。本发明容易在不发生损害的情形下自薄化的装置晶片卸离承载板。CN1026359ACCNN110216355902163561A权利要求书1/2页1.一种堆叠装置的制造方法，包括：提供一晶片，其具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中该第一表面上涂覆了一第一粘着层；提供涂覆了一第二粘着层的一承载板，而露出该承载板的一边缘区；经由该第一粘着层及该第二粘着层将该晶片的该第一表面接合至该承载板，其中该承载版的该边缘区被该第一粘着层覆盖；自该第二表面薄化该晶片，以形成一薄化的晶片；将多个裸片接合至该薄化的晶片上；去除邻近于该薄化的晶片边缘的该第一粘着层，而露出该承载板的该边缘区以及邻近于该承载板的该边缘区的该第二粘着层；施加一光能或热能，以分解该第二粘着层；自该晶片卸离该承载板；以及去除余留于该晶片的该第一表面上的该第一粘着层。2.如权利要求1所述的堆叠装置的制造方法，其中该光能包括红外光、激光、或紫外光。3.如权利要求1所述的堆叠装置的制造方法，其中该第一粘着层由湿化学去除型粘着材料所构成。4.如权利要求1所述的堆叠装置的制造方法，其中该第二粘着层由光分解型或热分解型或溶剂分解型粘着材料所构成。5.一种堆叠装置的制造方法，包括：提供一晶片，其具有一第一表面及与其相对的一第二表面，其中该第一表面上涂覆了一第一粘着层；提供涂覆了一第二粘着层的一承载板，而露出该承载板的一边缘区；经由该第一粘着层及该第二粘着层将该晶片的该第一表面接合至该承载板，其中该承载版的该边缘区被该第一粘着层覆盖；自该第二表面薄化该晶片，以形成一薄化的晶片；将多个裸片接合至该薄化的晶片上，以形成一裸片对晶片的堆叠；在该裸片对晶片的堆叠上形成一成型材料；在邻近该成型材料的边缘形成一通道，其中该通道穿过该成型材料、该晶片的边缘以及一部分的该第一粘着层；去除该成型材料、该晶片的边缘以及该第一粘着层中环绕该通道的部分，而露出该承载板的该边缘区以及邻近于该承载板的该边缘区的该第二粘着层；去除该第二粘着层；自该晶片卸离该承载板；以及去除余留于该晶片的该第一表面上的该第一粘着层。6.如权利要求5所述的堆叠装置的制造方法，其中该通道的直径小于5毫米。7.如权利要求5所述的堆叠装置的制造方法，其中去除该第二粘着层的步骤包括施加一光能或热能或溶剂以分解该第二粘着层。8.如权利要求5所述的堆叠装置的制造方法，其中该第一粘着层由湿化学去除型粘着2CCNN110216355902163561A权利要求书2/2页材料所构成。9.一种装置晶片的处理方法，包括：提供一装置晶片，其包括具有一前表面及一背表面的一半导体基底，其中一填有导电材料的通孔电极形成于该半导体基底内且从该前表面往该被表面延伸入该半导体基底至一深度；在该半导体基底的该前表面形成一第一粘着层，以覆盖该装置晶片的边缘；提供涂覆了一第二粘着层的一承载板，而露出该承载板的一边缘区；经由该第一粘着层及该第二粘着层将该装置晶片接合至该承载板，其中该承载版的该边缘区被该第一粘着层覆盖；自该半导体基底的该背表面薄化该装置晶片，以露出该通孔电极的一端点；在该半导体基底的该背表面上方形成一金属化结构，以电性连接至该通孔电极的该露出的端点；将一裸片接合至该装置晶片上，以电性连接该金属化结构；去除邻近该装置晶片边缘的该第一粘着层，以露出该承载板的该边缘区；去除该第二粘着层；自该晶片卸离该承载板；以及去除该第一粘着层。10.如权利要求9所述的装置晶片的处理方法，其中去除该第二粘着层的步骤为施加一光能或热能以分解该第二粘着层。3CCNN110216355902163561A说