存储器及其编程方法和读取方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114141295A(43)申请公布日2022.03.04(21)申请号202111434128.5(22)申请日2021.11.29(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430000湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人沈家骏魏华征(74)专利代理机构北京英思普睿知识产权代理有限公司16018代理人刘莹聂国斌(51)Int.Cl.G11C16/10(2006.01)G11C16/26(2006.01)权利要求书4页说明书8页附图4页(54)发明名称存储器及其编程方法和读取方法(57)摘要本公开涉及存储器及其编程方法和读取方法，所述编程方法包括：获取存储器的待编程存储单元的编程温度，其中，编程温度为待编程存储单元的温度；施加编程电压至待编程存储单元以改变待编程存储单元的存储状态；对待编程存储单元施加验证电压以使待编程存储单元导通，在第一感测时间后确定待编程存储单元的位线电压是否高于第一目标电压；如果是，则在第二感测时间后，确定待编程存储单元的位线电压是否高于第二目标电压，如果是，则停止对待编程单元的编程，其中，第一感测时间包括根据编程温度调整的第一温度补偿时间，且第二感测时间包括根据编程温度而调整的第二温度补偿时间，第一温度补偿时间和第二温度补偿时间不同。CN114141295ACN114141295A权利要求书1/4页1.一种存储器的编程方法，包括：获取所述存储器的待编程存储单元的编程温度，其中，所述编程温度为所述待编程存储单元的温度；施加编程电压至所述待编程存储单元以改变所述待编程存储单元的存储状态；对所述待编程存储单元施加验证电压以使所述待编程存储单元导通，在第一感测时间后确定所述待编程存储单元的位线电压是否高于第一目标电压；以及如果是，则在第二感测时间后，检测所述待编程存储单元的位线电压是否高于第二目标电压，其中，所述第一感测时间包括根据所述编程温度调整的第一温度补偿时间，且所述第二感测时间包括根据所述编程温度调整的第二温度补偿时间，所述第一温度补偿时间和所述第二温度补偿时间不同。2.根据权利要求1所述的编程方法，其中，所述第一感测时间包括第一预定感测时间和所述第一温度补偿时间，以及所述第二感测时间包括第二预定感测时间和所述第二温度补偿时间，所述第一预定感测时间小于所述第二预定感测时间。3.根据权利要求1或2所述的编程方法，其中，所述第一温度补偿时间和所述第二温度补偿时间根据所述编程温度与预定的参考温度的差异来确定。4.根据权利要求3所述的编程方法，其中，所述参考温度为85℃。5.根据权利要求1或2所述的编程方法，其中，所述第一温度补偿时间和所述第二温度补偿时间分别根据所述编程温度下对应时间段内所述待编程存储单元导通时感测电流随时间的变化曲线确定。6.根据权利要求5所述的编程方法，其中，当所述变化曲线的斜率时间减小时，将所述第一温度补偿时间设置为小于所述第二温度补偿时间。7.根据权利要求6所述的编程方法，其中，所述对应时间段内的电荷的流失速度越快，对应的所述第一温度补偿时间或所述第二温度补偿时间越短。8.根据权利要求1或2所述的编程方法，其中，所述第一温度补偿时间和所述第二温度补偿时间根据所述编程温度与参考温度的差异以及所述编程温度下所述待编程存储单元导通时感测电流随时间的变化曲线确定。9.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：在所述第一感测时间后所述位线电压小于或等于第一目标电压时或者在所述第二感测时间后所述位线电压小于或等于所述第二目标电压时，对所述待编程存储单元进行重新编程，其中，所述重新编程包括：改变所述编程电压；施加经改变的编程电压至所述待编程存储单元以改变所述待编程存储单元的存储状态；对所述待编程存储单元施所述加验证电压以使所述待编程存储单元导通，在所述第一感测时间后确定所述待编程存储单元的位线电压是否高于所述第一目标电压；如果是，则在所述第二感测时间后，检测所述待编程存储单元的位线电压是否高于所2CN114141295A权利要求书2/4页述第二目标电压，如果是，则停止对所述待编程单元的编程，如果否，则重复以上步骤直到所述待编程存储单元的位线电压高于所述第二目标电压。10.根据权利要求9所述的编程方法，还包括：在对所述待编程存储单元进行重新编程时，提高所述编程电压。11.根据权利要求10所述的编程方法，还包括：在对所述待编程存储单元进行多次重新编程时，以相同的步进电压逐步提高所述编程电压。12.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：对经编程的存储单元施加读取电压以使所述经编程的存储单元导通；在读取感测时间后确定所述经编程的存储单元的存储状态，其中，所述读取感测时间包括读取温度补偿时间，所述读取温度补偿时间根据