Flash存储器的数据写入方法、读取方法和装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113885791A(43)申请公布日2022.01.04(21)申请号202111050881.4(22)申请日2021.09.08(71)申请人北京维普无限智能技术有限公司地址100080北京市海淀区南路19号三层3011室(72)发明人王颢熹欧曦董俊丽赵峰李萌白俊华尚星宇(74)专利代理机构北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙)11381代理人陈曦董烨飞(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)G06F12/02(2006.01)G06F12/06(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图3页(54)发明名称Flash存储器的数据写入方法、读取方法和装置(57)摘要本发明公开了一种Flash存储器的数据写入方法、读取方法和装置。该方法包括以下步骤：步骤S1，读取第一目标页的数据；步骤S2，根据包含的第一信息，确定第一目标页是否被写入过：若第一目标页未被写入过，则将第一目标页的前一页确定为第一目标页，跳转到步骤S1；若第一目标页被写入过，则执行步骤S3；步骤S3，根据第一目标页的数据和要写入的数据，确定写入页；步骤S4，向写入页写入要写入的数据。本发明能够通过标志信息找出未被写入的空白页，每次写入都将数据写在相邻的空白页上，能够充分利用扇区中的页，减少了擦除的次数，提高了Flash存储器的使用寿命，并且即使本次写入时断电，也可以在其他页找到上一次写入的数据，对数据的保护更有效。CN113885791ACN113885791A权利要求书1/2页1.一种Flash存储器的数据写入方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1，读取第一目标页的数据；步骤S2，根据所述第一目标页的数据中包含的第一信息，确定所述第一目标页是否被写入过：若所述第一目标页未被写入过，则将所述第一目标页的前一页确定为所述第一目标页，跳转到步骤S1；若所述第一目标页被写入过，则执行步骤S3；步骤S3，根据所述第一目标页的数据和要写入的数据，确定写入页；步骤S4，向所述写入页写入所述要写入的数据；其中，所述第一信息储存在每页数据的特定位置，用于判断所述第一信息所在的页是否被写入过数据；初始时，所述步骤S1的第一目标页为Flash存储器的所有扇区的最后一页。2.如权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述步骤S3，根据所述第一目标页的数据和要写入的数据，确定写入页，包括以下步骤：步骤S31，若确定所述要写入的数据是在所述第一目标页包含数据的基础上加添数据，则将所述第一目标页确定为所述写入页；若确定所述要写入的数据是在所述第一目标页包含数据的基础上更改数据，则将所述第一目标页的下一页确定为所述写入页。3.如权利要求2所述的数据写入方法，其特征在于，所述步骤S31，若确定所述要写入的数据是在所述第一目标页包含数据的基础上加添数据，则将所述第一目标页确定为所述写入页；若确定所述要写入的数据是在所述第一目标页包含数据的基础上更改数据，则将所述第一目标页的下一页确定为所述写入页，包括以下步骤：步骤S311，将所述要写入的数据与所述第一目标页的数据做“逻辑与”运算得到运算结果，若所述运算结果等于所述要写入的数据，则将所述第一目标页确定为所述写入页；若不等于，则将所述第一目标页的下一页确定为所述写入页。4.如权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，Flash存储器包括第一扇区和第二扇区，所述步骤S3，根据所述第一目标页的数据和要写入的数据，确定写入页，还包括以下步骤：步骤S32，若确定所述第一扇区的最后一页被写入过数据，所述第二扇区的第一页未被写入过数据，则将所述第二扇区的第一页确定为所述写入页；若确定所述第二扇区的最后一页被写入过数据，所述第一扇区的第一页未被写入过数据，则将所述第一扇区的第一页确定为所述写入页。5.一种Flash存储器的数据读取方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1，读取第二目标页的数据；步骤S2，根据所述第二目标页的数据中包含的第一信息，确定所述第二目标页是否被写入过：若所述第二目标页未被写入过，则将所述第二目标页的前一页确定为所述第二目标页，跳转到步骤S1；若所述第二目标页被写入过，则将所述第二目标页确定为读取页；步骤S3，将所述读取页的数据确定为读取到的数据；其中，所述第一信息储存在每页数据的特定位置，用于判断所述第一信息所在的页是否被写入过数据；初始时，所述步骤S1的第一目标页为Flash存储器的所有扇区的最后一页。6.一种Flash存储器的数据写入装置，其特征在于包括以下模块：2CN113885791A权利要求书2/2页第一读取模块，用于读取第一目标页的数据；第一确定模块，用于根据所述第一目标页的数据中包含的第一信息，确定所述第一目标页是否被写入过