芯片集成方法及装置.pdf
书生****12
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相关资料
芯片集成方法及装置.pdf
本申请实施例提供一种芯片集成方法及装置,该方法包括:获取待集成的目标芯片对应的功能信息,功能信息用于指示目标芯片具备的功能。根据功能信息,在预设功能模块库中确定多个目标功能模块。确定多个目标功能模块之间的第一连接信息。在芯片设计界面中显示多个目标功能模块、以及根据第一连接信息连接多个目标功能模块,得到目标芯片,目标芯片中包括多个目标功能模块。本申请的技术方案可以自动集成目标芯片,从而可以有效提升芯片的集成效率。
集成芯片和形成集成芯片的方法.pdf
本发明的实施例提供了一种集成芯片,包括衬底;下部介电结构,位于衬底上方;互连件,位于下部介电结构内;蚀刻停止层,位于下部介电结构上方;层间介电层,位于蚀刻停止层上方;一个或多个开口,延伸穿过层间介电层和蚀刻停止层;存储器单元,包括设置在一个或多个开口上方和一个或多个开口内下部电极、数据存储层和上部电极;其中,下部电极、数据存储层和上部电极中的每个延伸到一个或多个开口中并且位于横向于一个或多个开口的层间介电层上方。本发明的实施例还提供了形成集成芯片的方法。
芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计.pdf
本发明提供了一种芯片磁强计光学集成方法及芯片磁强计,芯片磁强计光学集成方法包括:在衬底表面集成封装激光器光源以形成光源集成芯片,在衬底表面增加介质层;将芯片化的准直镜片与预置了介质层的光源集成芯片进行键合;将芯片化的偏振镜片与芯片化的准直镜片进行键合;将集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室与芯片化的偏振镜片进行键合;将光电探测芯片与集成有加热测温芯片的芯片化的原子气室进行键合。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中原子磁强计结构复杂、体积大的技术问题。
集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法.pdf
本申请的各种实施例针对包括前段制程(FEOL)衬底上半导体贯通孔(TSV)的集成电路(IC)芯片以及用于形成该IC芯片的方法。在一些实施例中,半导体层位于衬底上。半导体层可以例如是或包括III‑V族半导体和/或一些其他合适的半导体。半导体器件位于半导体层上,并且FEOL层位于半导体器件上。FEOLTSV在IC芯片的外围处延伸穿过FEOL层和半导体层至衬底。金属间介电(IMD)层位于FEOLTSV和FEOL层上,并且引线和通孔的交替堆叠件位于IMD层中。
集成电路的时序约束方法、装置、电子设备及芯片.pdf
本公开提供了一种集成电路的时序约束方法、装置、电子设备及芯片,其中,该方法包括:在基于多个模块的当前延时约束确定存在不满足时序收敛条件的模块的情况下,确定目标模块,并对所述目标模块进行逻辑综合处理,得到与所述目标模块的功能描述信息对应的第一综合结果;基于所述第一综合结果确定所述目标模块的实际延时时间;基于所述实际延时时间更新所述目标模块的当前延时约束,得到目标延时约束。