半导体工艺设备及腔室压力控制方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114281120A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111615043.7(22)申请日2021.12.27(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人周广才刘学庆(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣王婷(51)Int.Cl.G05D16/20(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图11页(54)发明名称半导体工艺设备及腔室压力控制方法(57)摘要本发明提供一种半导体工艺设备及腔室压力控制方法，其中，半导体工艺设备包括第一控制单元和第二控制单元，第二控制单元所执行的腔室压力控制方法包括：接收第一控制单元发送的充气信号，根据充气信号控制充气单元开始充气；在确定腔室压力达到预设压力值时，控制充气单元停止充气，其中，预设压力值小于目标压力值；若接收到第一控制单元发送的计时信号，则控制充气单元再次开始充气，并开始计时；在接收到第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制充气单元停止充气。第一控制单元和第二控制单元联合实现双点位控制，防止第一控制单元异常导致无法停止充气的问题。CN114281120ACN114281120A权利要求书1/2页1.一种腔室压力控制方法，用于控制充气单元向半导体工艺设备的反应腔室内部进行充气，以使其腔室压力达到目标压力值，其特征在于，包括：接收第一控制单元发送的充气信号，根据所述充气信号控制所述充气单元开始充气；在确定所述腔室压力达到预设压力值时，控制所述充气单元停止充气，其中，所述预设压力值小于所述目标压力值；若接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则控制所述充气单元再次开始充气，并开始计时；在接收到所述第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制所述充气单元停止充气。2.根据权利要求1所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述在确定所述腔室压力达到预设压力值时，控制所述充气单元停止充气之后，还包括：若未接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则流程结束。3.根据权利要求2所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述充气信号的值为非零；所述根据所述充气信号控制所述充气单元开始充气，包括：对所述充气信号和初始值为非零的使能信号进行逻辑与运算，根据得到的非零的运算结果控制所述充气单元开始充气；所述在确定所述腔室压力达到预设压力值时，控制所述充气单元停止充气，包括：在确定所述腔室压力达到预设压力值时，将所述使能信号的值设为零，并对所述充气信号和所述使能信号进行逻辑与运算，根据得到的为零的运算结果控制所述充气单元停止充气。4.根据权利要求3所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述若接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则控制所述充气单元再次开始充气，包括：若接收到所述第一控制单元发送的计时信号，则将所述使能信号设为非零，并对所述充气信号和所述使能信号进行逻辑与运算，根据得到的非零的运算结果控制所述充气单元开始充气。5.根据权利要求3所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述停止充气信号的值为零；所述在接收到所述第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时，控制所述充气单元停止充气，包括：在接收到所述停止充气信号时，对所述停止充气信号和所述使能信号进行逻辑与运算，根据得到的为零的运算结果控制所述充气单元停止充气；在所述计时时长达到所述第一等待时长时，将所述使能信号设为零，并对所述充气信号和所述使能信号进行逻辑与运算，根据得到的为零的运算结果控制所述充气单元停止充气。6.根据权利要求1所述的腔室压力控制方法，其特征在于，还包括：在接收到所述第一控制单元与所述停止充气信号同时发送的停止计时信号时，停止计时。7.一种腔室压力控制方法，用于控制充气单元向半导体工艺设备的反应腔室内部进行充气，以使其腔室压力达到目标压力值，其特征在于，包括：2CN114281120A权利要求书2/2页向第二控制单元发送充气信号，使所述第二控制单元控制所述充气单元开始充气；在确定所述腔室压力达到预设压力值时，开始计时，同时向所述第二控制单元发送计时信号，使所述第二控制单元控制所述充气单元再次开始充气同时也开始计时，其中，所述预设压力值小于所述目标压力值；在计时时长达到第二等待时长时，向所述第二控制单元发送停止充气信号。8.根据权利要求7所述的腔室压力控制方法，其特征在于，还包括：在所述计时时长达到所述第二等待时长时，还向所述第二控制单元发送停止计时信号。9.根据权利要求7所述的腔室压力控制方法，其特征在于，所述充气信号的值为非零，所述停止充气信号的值为零。10.一种半导体工艺设备，其