小面积低电压反熔丝元件与阵列.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114284272A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202011178949.2(22)申请日2020.10.29(30)优先权数据1091336052020.09.28TW(71)申请人亿而得微电子股份有限公司地址中国台湾新竹县竹北市台元街二八号七楼之二(72)发明人黄文谦黄郁婷吴其沛(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569代理人张梦泽(51)Int.Cl.H01L27/112(2006.01)G11C17/16(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称小面积低电压反熔丝元件与阵列(57)摘要本发明公开了一种小面积低电压反熔丝元件与阵列，此反熔丝元件具有两两对称分布的四个第一闸极介电层，反熔丝闸极位于第一闸极介电层上，并将反熔丝闸极的四个角落分别与每一第一闸极介电层最靠近反熔丝闸极的一个角落重叠，且反熔丝闸极的每一个角落形成有尖角；此反熔丝元件利用四个第一闸极介电层共享一个反熔丝闸极，得以大幅缩减元件尺寸，而在进行操作时，通过电荷于尖角处的密度较高来降低击穿电压，可降低绝对电压，并达成降低电流消耗的目的。CN114284272ACN114284272A权利要求书1/2页1.一种小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，所述小面积低电压反熔丝元件包含：一基底；四第一闸极介电层，两两对称设置在该基底上；一反熔丝闸极，设置于该些第一闸极介电层上，并使得该反熔丝闸极的四个角落分别与每一该第一闸极介电层最靠近该反熔丝闸极的一个角落重叠，且该反熔丝闸极的该四个角落分别形成至少一尖角；以及四第一离子掺杂区，分别设置在每一该第一闸极介电层一侧的该基底中。2.根据权利要求1所述的小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，该基底为P型半导体基底，则该些第一离子掺杂区为N型掺杂区。3.根据权利要求1所述的小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，该基底为N型半导体基底，则该些第一离子掺杂区为P型掺杂区。4.根据权利要求1所述的小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，所述小面积低电压反熔丝元件还包含分别邻近每一该第一离子掺杂区的四选择晶体管，每一该选择晶体管包含：一第二闸极介电层，设置在该基底上；一选择闸极，叠设于该第二闸极介电层上；及一第二离子掺杂区，位于该第二闸极介电层远离每一该第一离子掺杂区的一侧的该基底中，该第二离子掺杂区与该些第一离子掺杂区掺杂同型的离子。5.根据权利要求1所述的小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，该尖角小于或等于90度。6.根据权利要求1所述的小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，该反熔丝闸极的该四个角落分别形成一延伸部，该延伸部具有两尖角。7.根据权利要求1所述的小面积低电压反熔丝元件，其特征在于，所述小面积低电压反熔丝元件还包含一井区，设置于该基底内并位于该些第一离子掺杂区下方，该井区与该些第一离子掺杂区掺杂不同型的离子。8.一种小面积低电压反熔丝阵列，其特征在于，所述小面积低电压反熔丝阵列包含：复数条平行的位元线，包含一第一位元线；复数条平行的字线，与该些位元线互相垂直，并包含设置在该第一位元线两侧的一第一字线与一第二字线；复数条平行的选择线，与该些字线互相平行，并包含分别邻近该第一字线和该第二字线的一第一选择线与一第二选择线；复数反熔丝元件，每一该反熔丝元件连接二该字线、二该选择线与一该位元线，每一该反熔丝元件包含：四第一闸极介电层，沿着该第一位元线两两对称设置在一基底上；一反熔丝闸极，设置于该些第一闸极介电层上，并使得该反熔丝闸极的四个角落分别与每一该第一闸极介电层最靠近该反熔丝闸极的一个角落重叠，且该反熔丝闸极的该四个角落分别形成至少一尖角，该反熔丝闸极连接至该第一位元线；四第一离子掺杂区，分别设置在每一该第一闸极介电层一侧的该基底中，位于该第一位元线同侧的两该第一离子掺杂区分别连接至该第一选择线与该第二选择线；以及2CN114284272A权利要求书2/2页四选择晶体管，邻近每一该第一离子掺杂区，每一该选择晶体管包括：一第二闸极介电层，设置在该基底上；一选择闸极，叠设于该第二闸极介电层上；及一第二离子掺杂区，位于该第二闸极介电层远离每一该第一离子掺杂区的一侧的该基底中，该第二离子掺杂区与该些第一离子掺杂区掺杂同型的离子；其中，位于该第一位元线同侧的两该选择晶体管的两该选择闸极分别连接至该第一字线和该第二字线，两该第二离子掺杂区分别连接至该第一选择线与该第二选择线。9.根据权利要求8所述的小面积低电压反熔丝阵列，其特征在于，该基底为P型半导体基底，则该些离子掺杂区为N型掺杂区。10.根据权利要求8所述的小面积低电压反熔丝阵列，其特征在于，该基底为N型半导体基底，则该些离子掺杂区为P型掺杂区。11.根据权利