一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质.pdf
雨星****萌娃
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一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质.pdf
本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括:在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时,对选中的存储单元的Bulk端施加负压和/或对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和/或对选中的存储单元的源端施加正压;该方法提供了“对选中的存储单元的Bulk端施加负压、对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压、对选中的存储单元的源端施加正压”共三种基础处理方式抑制过擦除存储单元在数据读取校验时漏电行为,进而使得擦除存储单元可在不修复的情况下进行正常使
手写擦除方法、装置、电子设备及存储介质.pdf
本公开提供一种手写擦除方法,包括:获取待检测图像,所述待检测图像中包含印刷体字迹和手写体字迹;将待检测图像输入至所述手写擦除模型,以获取待检测图像的手写体预测图和印刷体预测图,其中,手写擦除模型是基于具有手写体图像和印刷体图像的样本图像训练得到的;根据手写体预测图,清除印刷体预测图中残留的手写体字迹,得到手写体字迹擦除后的图像。采用本公开的方案,能够根据手写擦除模型输出的手写体预测图清除印刷体预测图中的手写残留,得到手写字迹擦除干净的最终图像,达到较好的手写擦除效果。
一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质.pdf
本发明涉及半导体集成电路技术领域,具体公开了一种存储单元的擦除方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:检查存储单元中待擦除的操作区域的数据,并将数据调整一致;擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第一调节电压以下;擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在目标阈值电压的上限以下;擦除操作区域使操作区域的阈值电压均在第二调节电压以下,并对操作区域进行后编程,以使操作区域的阈值电压在目标阈值电压范围内;该方法有效缩小了该操作区域的阈值电压的分布区域,从而提高了该操作区域的阈值电压的一致性,并提高了存储
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质.pdf
本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,通过对选定的存储单元进行擦除操作;对所述选定的存储单元进行擦除验证,并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压,对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压;从而有利于使未选中的存储单元完全关断,因而不会产生额外的漏极电流,进而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
闪存的写保护方法、装置、电子设备及存储介质.pdf
本申请提供一种闪存的写保护方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括:当触发条件被触发时,获取闪存的标识;若预设表中存在所述标识,则根据所述预设表,确定目标写保护方式,所述预设表还包括所述标识对应的闪存的写保护的相关信息;基于所述预设表,使用所述目标写保护方式对所述触发条件对应的操作进行处理。通过该方式,能实现在触发条件被触发时,根据触发条件和预设表,自行进行写保护操作,使得无需工作人员为每个闪存单独开发写保护驱动程序,从而能避免工作人员在开发该闪存的写保护驱动程序时,出现修改错误等情况,进而能提高对闪存