内存参数调整方法、装置、设备和介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114281538A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111590948.3(22)申请日2021.12.23(71)申请人恒为科技（上海）股份有限公司地址201114上海市闵行区陈行公路2388号8号楼6楼(72)发明人顾会光(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人张珊珊(51)Int.Cl.G06F9/50(2006.01)权利要求书3页说明书14页附图8页(54)发明名称内存参数调整方法、装置、设备和介质(57)摘要本申请提供了内存参数调整方法、装置、设备和介质，其中，方法包括：获取内存参数文件；将内存参数文件解析为二进制可执行文件；将二进制可执行文件打包到目标固件的内存参数区，以便目标固件对应的固件代码调用内存参数区的调整后参数值并写入对应内存寄存器。本申请无需软件工程师修改软件代码，仅在内存参数文件中调整内存参数，即可按照本申请完成内存参数调整，由于无需软件工程师参与，节省了人力，硬件工程师根据仿真和测试结果可随时调整内存参数区的待调整内存参数来获得更优的内存性能，相比于现有技术，提高了效率。同时，本申请能够保证固件功能的一致性。CN114281538ACN114281538A权利要求书1/3页1.一种内存参数调整方法，其特征在于，应用于目标工具代码，包括：获取内存参数文件，其中，所述内存参数文件中包括待调整内存参数的调整后参数值；将所述内存参数文件解析为二进制可执行文件；将所述二进制可执行文件打包到目标固件的内存参数区，以便所述目标固件对应的固件代码调用所述内存参数区的所述调整后参数值并写入对应内存寄存器，其中，所述内存参数区由所述目标固件中PMON代码和数据区的设定高地址空间组成，所述目标固件是指烧录到具有SPI接口的NORFLASH的固件。2.根据权利要求1所述的内存参数调整方法，其特征在于，所述待调整内存参数包括内存物理参数和内存时序参数，所述内存参数文件中还包括所述内存时序参数的个数和所述内存时序参数对应的寄存器地址值；所述将所述内存参数文件解析为二进制可执行文件，包括：确定所述内存参数文件的第一行是否满足第一条件，其中，所述第一条件是指所述第一行的前4字节为第一预设信息，且所述第一行的前4字节之后的数值为设定比特位数的十六进制数；若所述内存参数文件的第一行满足所述第一条件，则将所述第一行前4字节之后的数值存储至所述二进制可执行文件的第一地址处；确定所述内存参数文件的第二行是否满足第二条件，其中，所述第二条件是指所述第二行的前6字节为第二预设信息，且所述第二行的前6字节之后的数值小于设定阈值；若所述内存参数文件的第二行满足所述第二条件，则将所述第二行的前6字节之后的数值存储至所述二进制可执行文件的第二地址处，其中，所述第二行的前6字节之后的数值作为所述内存时序参数的个数；从所述内存参数文件的第三行开始读取所述内存时序参数的个数行数据，并确定读取的各行数据是否满足设定格式，其中，读取的每行数据中均包括：该行数据对应的内存时序参数所对应的寄存器地址值，以及，该行数据对应的内存时序参数的调整后参数值；若读取的所述各行数据满足所述设定格式，则解析所述各行数据并从所述二进制可执行文件的第三地址处开始，逐行存储所述各行数据分别包含的寄存器地址值和调整后参数值；将预设的内存参数有效标志存储至所述二进制可执行文件的第四地址处；若所述内存参数文件的第一行不满足第一条件，或，所述内存参数文件的第二行不满足所述第二条件，或，读取的所述各行数据不满足所述设定格式，则将预设的内存参数无效标志存储至所述第四地址处。3.根据权利要求2所述的内存参数调整方法，其特征在于，还包括：在将所述内存参数有效标志或所述内存参数无效标志存储至所述二进制可执行文件的第四地址处后，生成相应提示信息。4.根据权利要求1所述的内存参数调整方法，其特征在于，所述将所述二进制可执行文件打包到目标固件的内存参数区，包括：将所述目标固件的内存参数区清零；逐字节将所述二进制可执行文件复制到所述内存参数区。5.一种内存参数调整方法，其特征在于，应用于如权利要求1～4任一项所述的固件代2CN114281538A权利要求书2/3页码，包括：调用所述目标固件的内存参数区的调整后参数值，并将所述调整后参数值写入对应内存寄存器，其中，所述内存参数区由所述目标固件中PMON代码和数据区的设定高地址空间组成，所述内存参数区的调整后参数值通过所述目标工具代码对二进制可执行文件进行打包得到，所述二进制可执行文件通过所述目标工具代码对内存参数文件进行解析得到，所述内存参数文件中包括待调整内存参数的所述调整后参数值，所述目标固件是指烧录到具有SPI接口的NORFLAS