硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114280631A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111601669.2(22)申请日2021.12.24(71)申请人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司地址750000宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号(72)发明人倪浩然谢国荣冉泽平祁海滨王忠保(74)专利代理机构宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)64105代理人杨畅(51)Int.Cl.G01S19/06(2010.01)H01L21/66(2006.01)H01L21/68(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法(57)摘要一种硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法，包括固定夹具、定位板，所述固定夹具包括夹紧组件、架体，所述夹紧组件一端与所述架体的一侧滑动连接，所述夹紧组件的另一端与所述架体的另一侧接触，所述架体能够沿所述定位板滑动，本发明通过硅片BMD辅助定位装置，将硅片的解理面对准定位板，然后通过夹紧组件将硅片夹紧，将架体翻转180°，再将定位板移开，以将硅片的解理面对准显微镜，使得显微镜在计数时，因为硅片始终保持水平，在显微镜观察BMD数目时，显微镜只需进行一次调整，便可使显微镜观察的区域均清晰，进而针对同一深度时，BMD计数时更加准确。CN114280631ACN114280631A权利要求书1/1页1.一种硅片BMD辅助定位装置，其特征在于，包括固定夹具、定位板，所述固定夹具包括夹紧组件、架体，所述夹紧组件一端与所述架体的一侧滑动连接，所述夹紧组件的另一端与所述架体的另一侧接触，所述架体能够沿所述定位板滑动。2.根据权利要求1所述的硅片BMD辅助定位装置，其特征在于，所述夹紧组件包括顶块、连接杆、移动块、弹簧，所述架体的一侧沿长度方向开设长条孔，所述顶块与所述连接杆的一端连接，所述连接杆穿过所述长条孔与所述移动块连接，所述弹簧环绕在所述连接杆上，所述弹簧的一端与所述顶块连接，所述弹簧的另一端与所述架体的一侧滑动连接。3.根据权利要求1所述的硅片BMD辅助定位装置，其特征在于，所述夹紧组件至少为两个。4.根据权利要求2所述的硅片BMD辅助定位装置，其特征在于，所述定位板沿长度方向上设置滑轨，所述架体的一端敞开，所述架体沿滑轨滑动。5.根据权利要求4所述的硅片BMD辅助定位装置，其特征在于，所述架体相对开设长条孔的一侧沿长度方向设置支撑块，所述支撑块的一侧与所述架体的一侧连接，所述支撑块的另一侧与所述顶块接触，所述支撑块的底部与同侧的滑轨接触。6.一种硅片BMD的测量方法，其特征在于，包括如权利要求1‑5中任意一项所述的硅片BMD辅助定位装置，具体步骤如下：步骤一：将热处理后的硅片通过化学药剂清洗，得到清洗硅片；步骤二：将清洗硅片进行解理，得到样片；步骤三：将样片进行横式择优腐蚀，得到待检测样片；步骤四：将待检测样片插入所述固定夹具中，所述待检测样片的解理面与定位板接触，所述夹紧组件将所述硅片固定在架体内，然后将所述定位板移出，使所述待检测样片的解理面露出；步骤五：将固定夹具翻转放置在载物台上，使所述待检测样片的解理面露出，通过显微镜观察待检测样片的BMD数目。7.根据权利要求6所述的硅片BMD的测量方法，其特征在于，步骤一中，所述化学药剂为HF或HNO3。8.根据权利要求6所述的硅片BMD的测量方法，其特征在于，步骤二中，所述清洗硅片进行解理时，在所述清洗硅片下放置软垫。9.根据权利要求6所述的硅片BMD的测量方法，其特征在于，步骤三中，所述横式择优腐蚀具体为：将样片水平放置在腐蚀盘中进行腐蚀，倒入择优腐蚀液进行腐蚀，再将择优腐蚀液腐蚀后的清洗硅片用去离子水清洗，然后再用碱液进行浸泡，得到待检测样片。10.根据权利要求9所述的硅片BMD的测量方法，其特征在于，所述择优腐蚀液为HF或HNO3或Cu（NO3）2或AgNO3。2CN114280631A说明书1/5页硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法技术领域[0001]本发明涉及单晶硅体内BMD的检测装置及方法工艺技术领域，具体涉及一种硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法。背景技术[0002]单晶硅材料的主要用途之一是应用在半导体领域，对于部分应用领域，半导体单晶硅有严格的纯度要求，杂质元素尤其是金属杂质元素对半导体单晶硅片有着无法忽视的负面影响，因此除了在生产加工过程中对于杂质元素进行严格控制外，还利用内置吸杂原理（InnerGetter，IG）进一步去除杂质元素的影响。体微缺陷（BMD）作为内置吸杂的主体，其密度对硅片IG的能力有着很轻的关联。对于一些有相应需求的应用，需要对BMD的数量进行控制，从而达