底部抗反射层及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114296318A(43)申请公布日2022.04.08(21)申请号202111631925.2(22)申请日2021.12.28(71)申请人宁波南大光电材料有限公司地址315800浙江省宁波市北仑区柴桥街道青山路21号(72)发明人顾大公陈鹏夏力马潇毛智彪许从应(74)专利代理机构深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)44333代理人贾振勇(51)Int.Cl.G03F7/09(2006.01)权利要求书2页说明书6页(54)发明名称底部抗反射层及其制备方法(57)摘要本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种底部抗反射层及其制备方法，该方法以下步骤：将第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上，以形成底部抗反射层的第一吸光薄膜层；在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液，以形成底部抗反射层的抗反射薄膜层；在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液，以形成底部抗反射层的第二吸光薄膜层。本发明通过上述方法在所述第一吸光薄膜层与所述第二吸光薄膜层之间增加了抗反射薄膜层，进一步提高了光刻胶底部界面的抗反射能力，从而使得底部抗反射层能较好的吸收多余的、到达光刻胶薄膜底部的曝光光线，避免或减少反射，进而达到消除驻波、提高线条形貌的目的。CN114296318ACN114296318A权利要求书1/2页1.一种底部抗反射层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上，以形成底部抗反射层的第一吸光薄膜层；在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液，以形成底部抗反射层的抗反射薄膜层；在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液，以形成底部抗反射层的第二吸光薄膜层。2.根据权利要求1所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将所述第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上，并以2000～3000转/分钟的速度旋转成膜，同时在150‑250℃的热板上烘烤80‑100s，冷却后得到所述第一吸光薄膜层；在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液，并以500～3000转/分钟的速度旋转成膜，同时在60‑300℃热板上后烘烤90‑300秒，冷却后得到所述抗反射薄膜层；在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液，并以2000～3000转/分钟的速度旋转成膜，同时在150‑250℃的热板上烘烤80‑100s，冷却后得到所述第二吸光薄膜层。3.根据权利要求2所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，底部抗反射层的折射率为1.8‑1.9，消光系数为0.3‑0.4。4.根据权利要求1所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述第一吸光薄膜、所述第二吸光薄膜为相同材料的吸光薄膜。5.根据权利要求4所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述第一吸光薄膜溶液、所述第二吸光薄膜溶液包括以下重量百分比的原料：主体树脂1‑30％、交联剂0.1‑5％、热敏酸0.001‑1％，余量为溶剂。6.根据权利要求5所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述主体树脂为取代(甲基)丙烯酸脂聚合物、取代苯乙烯聚合物或其它取代芳香族聚合物中一种或多种。7.根据权利要求6所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述主体树脂的结构为：其中，吸光官能团、交联官能团和辅助官能团的数量比为(10‑50％)：(5‑40％)：(10‑85％)；吸光官能团是含有芳香环的官能团，即苯基、甲苯基、二甲苯基、氯苯基、氟苯基、联苯基、萘基、蒽基以及其它苯环数在20以内的取代芳基衍生物；交联官能团是含羟基的官能团，即甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、环己基、降冰片、金刚烷、立方烷以及碳原子数在20以内的单羟基或多羟基烷基衍生物；辅助官能团是含酯基或/和刚性结构的烷基类或芳基类官能团，即甲醇、乙醇、丙醇、丙2CN114296318A权利要求书2/2页二醇、环己醇、降冰片醇、金刚烷醇以及碳原子数在20以内的酯类或/和刚性烷基衍生物。8.根据权利要求5所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述交联剂为三聚氰胺树脂、氨基树脂、甘脲化合物、二环氧化物中的一种或多种；或/和所述热敏酸为苯磺酸及其衍生物中的一种或多种；所述苯磺酸衍生物包括：对甲苯磺酸、吡啶对甲苯磺酸、2、4、4、6‑四溴环己二烯酮、苯偶因甲苯二烯酮、取代硝基苄基甲苯磺酸盐、烷基对甲苯苯磺酸铵盐；或/和所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单醋酸醚、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮、环己酮、甲基异丁基酮、N‑甲基吡咯烷酮、N、N‑二甲基甲酰胺、N、N‑二甲基乙酰胺和二甲亚砜中的一种或多种。9.根据权利要求1所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，抗反射薄膜为纳米氧化硅抗反射薄膜。10.一种底部抗反射