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一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法.pdf
2023-06-07
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一吃****书竹
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底部抗反射涂层组合物及其制备方法.pdf
本发明适用于光刻胶技术领域,提供了一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法,其包括以下质量百分比的原料:含芳基的甘脲类低聚物溶液5?15%、主体树脂0.5?15%、热敏酸0.1?1%,余量为有机溶剂。本发明通过在底部抗反射涂层组合物中添加了可进行交联且芳基比例可调节的甘脲类低聚物,从而快速的调整底部抗反射涂层的n/k值,大大降低底部抗反射涂层在n/k值方面的调整难度,减少了光刻胶底部界面出现反射和诸如驻波等问题,提高光刻工艺中线宽解析度。
2023-05-24
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一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法.pdf
本发明提供了一种底部抗反射涂层组合物及其制备方法,该底部抗反射涂层组合物包括以下质量百分比的原料:含芳基的甘脲类低聚物溶液5?15%、主体树脂0.5?15%、交联剂0.1?5%、热敏酸0.1?1%,余量为有机溶剂;其中,所述主体树脂包括吸光官能团、交联官能团和辅助官能团。该底部抗反射涂层组合物,采用含特殊基团的甘脲类低聚物溶液的作为交联剂。通过改变含芳基的甘脲类低聚物中芳基比例,方便的调整n/k值,大大降低BARC产品在n/k值方面的调整难度,减少光刻胶底部界面出现反射和诸如驻波等问题,提高光刻工艺中线宽
2023-06-07
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一种新型底部抗反射涂层组合物及其制备方法.pdf
本发明提供了一种新型底部抗反射涂层组合物及其制备方法,所述底部抗反射涂层组合物包括下述质量百分比的原料:主体树脂0.5%?15%、含芳环结构的交联剂A5%?15%、交联剂B0.1%?5%、热敏酸0.1%?1%、余量为溶剂。该底部抗反射涂层组合物含有芳环结构,特别是当含有芳基的甘脲结构,可以通过改变含芳基的比例,方便的调整n/k值,大大降低底部抗反射涂层组合物产品在n/k值方面的调整难度,减少光刻胶底部界面出现反射和诸如驻波等问题,提高光刻工艺中线宽解析度。
2023-05-10
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可显影的底部抗反射涂层形成用组合物.pdf
本发明提供了一种底部抗反射涂层形成用组合物，并且还提供了一种采用所述组合物的光致抗蚀剂图案形成方法。所述组合物提供了在制造半导体器件的光刻工艺中使用的底部抗反射涂层，并且所述涂层可以使用光致抗蚀剂用显影液进行显影。所述组合物含有溶剂、具有稠合多环芳香族基团的聚合物以及具有马来酰亚胺衍生物或马来酸酐衍生物的化合物。所述组合物可以进一步含有光酸产生剂或交联剂。
2023-06-14
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一种光刻胶底部的抗反射涂层树脂及其制备方法和应用.pdf
本发明涉及一种光刻胶底部的抗反射涂层树脂及其制备方法和应用，所述抗反射涂层树脂的制备原料包括甘脲衍生物和芳香型羟基化合物；本发明所述的抗反射涂层树脂，配成的光刻胶底部涂层具有高折光率和高吸收率，可以有效阻止光刻胶辐射光穿透抗反射涂层，显著提高光刻胶显影图案的分辨率，特别适用于14nm以下集成电路制程。
2023-06-11
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