氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114959594A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202111358250.9(22)申请日2021.11.16(30)优先权数据2021-0307222021.02.26JP(71)申请人捷客斯金属株式会社地址日本东京(72)发明人宗安慧奈良淳史(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219专利代理师胡嵩麟王海川(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)C23C14/08(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜(57)摘要本发明涉及氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。本发明的目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的氧化物溅射靶。CN114959594ACN114959594A权利要求书1/1页1.一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。2.如权利要求1所述的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶含有钼氧化物，所述钼氧化物为MoO2。3.如权利要求2所述的氧化物溅射靶，其特征在于，在将MoO2相的归属于(110)面的XRD峰强度设为IMoO2、并将背景的XRD平均强度设为IBG时，IMoO2/IBG为3.0以上。4.如权利要求1～3中任一项所述的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶含有钨氧化物，所述钨氧化物为WO3。5.如权利要求4所述的氧化物溅射靶，其特征在于，在将WO3相的归属于(202)面的XRD峰强度设为IWO3、并将背景的XRD平均强度设为IBG时，IWO3/IBG为3.0以上。6.如权利要求1～5中任一项所述的氧化物溅射靶，其中，W和Mo的含有比率以原子％计满足0.10≤W/(W+Mo)＜1.0。7.如权利要求1～6中任一项所述的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶的体积电阻率为1Ω·cm以下。8.一种氧化物溅射靶的制造方法，其为权利要求1～7中任一项所述的氧化物溅射靶的制造方法，其中，将氧化钨粉末与氧化钼粉末混合，并在800℃以上且1000℃以下对该混合粉末进行热压烧结，从而制造氧化物溅射靶。9.如权利要求8所述的氧化物溅射靶的制造方法，其中，使用MoO2作为所述氧化钼粉末。10.一种氧化物薄膜，其为使用权利要求1～7中任一项所述的氧化物溅射靶进行溅射成膜而得到的氧化物薄膜，其中，所述氧化物薄膜的功函数为4.5eV以上。2CN114959594A说明书1/6页氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜技术领域[0001]本发明涉及适合于形成功函数高的氧化物薄膜的氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。背景技术[0002]ITO(氧化铟锡)被用作有机电致发光(有机EL)元件等发光元件中的透明电极(阳极)。通过对阳极施加电压而注入的空穴经由空穴传输层在发光层中与电子结合。近年来，为了提高向空穴传输层的电荷注入效率，在研究使用功函数比ITO高的氧化物。例如，在非专利文献1中，报道了TiO2、MoO2、CuO、NiO、WO3、V2O5、CrO3、Ta2O5、Co3O4等高功函数的薄膜作为有机半导体器件中的氧化物薄膜。[0003]如非专利文献1所示，WO3具有比较高的功函数。该WO3膜可以使用包含氧化钨烧结体的溅射靶进行成膜(专利文献1、2)，但是由于在WO3单相的情况下难以实现烧结体的高密度化、并且体积电阻率高，因此难以进行DC溅射。因此，在专利文献2中公开了通过在WO3中添加WO2，实现烧结体的高密度化，并且提高导电性，从而能够进行DC溅射。需要说明的是，在专利文献3、4中公开了包含W和Mo的氧化物的氧化物溅射靶。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1：日本特开平3‑150357号公报[0007]专利文献2：日本特开2013‑76163号公报[0008]专利文献3：日本特开2017‑25348号公报[0009]专利文献4：日本特开2004‑190120号公报[0010]非专利文献[0011]非专利文献1：MarkTGreinerandZheng‑HongLu，“Thin‑Filmmetaloxidesinorganicsemiconductordevices：theirelectronicstructures，workfunctionsandinterfaces”，NPGAsiaMaterials(2013年)5，e55，2013年7月19日发明内容[0012]发明所要解决的问题[0013]如上所述，作为构成有机EL等有机半