氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108269853A(43)申请公布日2018.07.10(21)申请号201711396345.3(22)申请日2017.12.21(30)优先权数据10-2016-01844682016.12.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人朴在润朴世熙具亨埈智光焕尹弼相(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L29/786(2006.01)H01L21/34(2006.01)H01L21/365(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图5页(54)发明名称氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置(57)摘要公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置，其中通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在包含金属的金属绝缘层上设置结晶氧化物半导体。该氧化物TFT包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体。CN108269853ACN108269853A权利要求书1/2页1.一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体。2.根据权利要求1所述的氧化物TFT，其中所述金属绝缘层设置在基板上，所述结晶氧化物半导体设置在所述金属绝缘层上，所述栅极绝缘层设置在所述结晶氧化物半导体上，并且所述栅极设置在所述栅极绝缘层上。3.根据权利要求1所述的氧化物TFT，其中所述栅极设置在基板上，所述栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述结晶氧化物半导体设置在所述栅极绝缘层上，并且所述金属绝缘层设置在所述结晶氧化物半导体上。4.根据权利要求1所述的氧化物TFT，其中所述结晶氧化物半导体在一个方向上取向，以具有方向性。5.根据权利要求1所述的氧化物TFT，其中所述金属绝缘层包含铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)和MoTi合金(MoTi)中的至少之一。6.一种显示面板，包括：被提供栅极脉冲的多条栅极线；分别被提供数据电压的多条数据线；和通过所述多条栅极线和所述多条数据线的交叉部分限定的多个像素，其中所述多个像素的每一个包括至少一个根据权利要求1所述的氧化物TFT。7.一种显示装置，包括：根据权利要求6所述的显示面板；栅极驱动器，所述栅极驱动器向所述显示面板中包括的多条栅极线提供栅极脉冲；数据驱动器，所述数据驱动器向所述显示面板中包括的多条数据线提供数据电压；和控制所述栅极驱动器和所述数据驱动器的控制器。8.一种制造氧化物薄膜晶体管(TFT)的方法，所述方法包括：沉积金属和氧化物半导体；向所述金属和具有非结晶结构的氧化物半导体施加热量，以将所述氧化物半导体变为结晶氧化物半导体；和将第一电极和第二电极连接至所述结晶氧化物半导体。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属和所述氧化物半导体的沉积包括：在基板上沉积所述金属；和2CN108269853A权利要求书2/2页通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在所述金属上沉积所述氧化物半导体，并且所述第一电极和所述第二电极的连接包括：在所述结晶氧化物半导体上沉积栅极绝缘层材料；在所述栅极绝缘层材料上沉积栅极材料；蚀刻所述栅极绝缘层材料和所述栅极材料，以形成栅极绝缘层和栅极；沉积绝缘层，以覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极；在所述绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露设置在所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体，所述第二接触孔暴露设置在所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体；以及在所述绝缘层上形成通过所述第一接触孔连接至所述第一导体的第一电极和通过所述第二接触孔连接至所述第二导体的第二电极。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属和所述氧化物半导体的沉积包括：在基板上沉积栅极；沉积栅极绝缘层，以覆盖所述栅极；通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在所述栅极绝缘层上沉积所述氧化物半导体；和在所述氧化物半导体上沉积所述金属，并且所述第一电极和所述第二电极的连接包括：将所述第一电极连接至设置在所述结晶氧化物半导体的一侧上的第一导体并且将所述第二电极连接至设置在所述结晶氧化物半导体的另一侧上的第二导体。11.根据权利要求8所述的方法，其中向所述金属施加热量包括：向所述金属施加热量以将所述金属变为金属绝缘层。3CN10826