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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115078965A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210658202.X(22)申请日2022.06.10(71)申请人北京智芯半导体科技有限公司地址102200北京市昌平区科技园区双营西路79号院12号楼一层申请人北京智芯微电子科技有限公司(72)发明人温立国张学磊田露沈红伟原义栋(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师赵静(51)Int.Cl.G01R31/28(2006.01)权利要求书4页说明书16页附图6页(54)发明名称芯片的温度场分布检测方法及装置、介质、芯片(57)摘要本申请公开了一种芯片的温度场分布检测方法及装置、介质、芯片,该方法首先获取多个关键节点各自的工作温度目标值,然后控制所有的功耗模拟单元依次按对应的关键节点的工作温度目标值进行功耗模拟,以使测温单元感测功耗模拟单元传导过来的温度,然后依据感测到的温度以及每个功耗模拟单元与测温单元之间的位置关系,生成各功耗模拟单元的位置‑温度关系曲线,最后依据位置‑温度关系曲线生成芯片待测区域的温度场分布情况,由此能够基于芯片的工作特点来动态定位封装后芯片的温度场分布,通过内置的测温电路和功耗模拟电路作为温度场分布检测的硬件实现,实现芯片整体温度场分布的检测,还降低了检测成本和检测难度。CN115078965ACN115078965A权利要求书1/4页1.一种芯片的温度场分布检测方法,其特征在于,所述芯片设置有测温单元,所述芯片的多个关键节点处设置有功耗模拟单元,所述温度场分布检测方法包括:获取所述多个关键节点各自的工作温度目标值;控制所有的所述功耗模拟单元依次按对应的关键节点的工作温度目标值进行功耗模拟,以使所述测温单元感测所述功耗模拟单元传导过来的温度;依据感测到的温度数据以及每个所述功耗模拟单元与所述测温单元之间的位置关系,生成各所述功耗模拟单元的位置‑温度关系曲线;依据所述位置‑温度关系曲线生成芯片待测区域的温度场分布情况。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,控制所有的所述功耗模拟单元依次按对应的关键节点的工作温度目标值进行功耗模拟,以使所述测温单元感测所述功耗模拟单元传导过来的温度,包括:从所有的工作温度目标值中选取一个未进行功耗模拟的工作温度目标值作为当前温度目标值,轮动式地控制各所述功耗模拟单元按所述当前温度目标值进行功耗模拟,以使所述测温单元对当前进行功耗模拟的功耗模拟单元传导过来的温度进行感测,得到对应于所述当前温度目标值的多个温度感测值,依次类推,直至针对所有的工作温度目标值均完成功耗模拟。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,轮动式地控制各所述功耗模拟单元按所述当前温度目标值进行功耗模拟,以使所述测温单元对当前进行功耗模拟的功耗模拟单元传导过来的温度进行感测,包括:从所有的功耗模拟单元中选取一个未按所述当前温度目标值进行过功耗模拟的功耗模拟单元作为当前模拟单元,并控制所述当前模拟单元按当前温度目标值进行功耗模拟,以及在所述测温单元感测到所述当前模拟单元传导过来的温度稳定后,将稳定后的温度数值作为所述温度感测值,依次类推,直至所有的功耗模拟单元均完成功耗模拟。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所有的所述功耗模拟单元依次连接形成功耗模拟模块,其中,通过对输入至所述功耗模拟模块的单元选择信号进行调节来控制所述功耗模拟模块的调温部分的通断,以便于从各所述功耗模拟单元中选取出所述当前模拟单元,并且通过对输入至所述功耗模拟模块的外接电流进行调节来使所述当前模拟单元的调温部分进行升温。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,依据所述位置‑温度关系曲线生成芯片待测区域的温度场分布情况,包括:基于线性叠加原则通过所述位置‑温度关系曲线得到芯片的温度场一维分布曲线图;依据所述温度场一维分布曲线图对位置‑温度信息在二维空间上进行拓展,生成所述待测区域的温度场分布情况。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:分别生成芯片封装前的第一温度场分布情况和芯片封装后的第二温度场分布情况,以便于依据所述第一温度场分布情况和所述第二温度场分布情况得到封装结构对芯片温度场分布产生的影响。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:通过分别控制所述芯片的至少一个关键节点对应的工作模块,以使所述至少一个关键2CN115078965A权利要求书2/4页节点按校准温度目标值进行升温,进而得到所述测温单元感测到的第一感测值;分别控制所述至少一个关键节点处的功耗模拟单元按校准温度目标值进行升温,从而得到所述测温单元感测到的第二感测值;依据所述第一感测值和所述第二感测值之间的差值,对所述至少一个关键节点处的功耗模拟