基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法.pdf

本发明涉及一种基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法，该制备方法包括:选取GOI衬底；生长N型应变SiGe层，离子注入工艺进行N型掺杂；在N型应变SiGe层表面生长N型Si帽层，形成增强型NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区；在其之间形成隔离沟槽；采用刻蚀工艺在NMOS栅极区表面形成双倒梯形凹槽；在NMOS有源区和耗尽型PMOS有源区表面生长氧化层，利用干法刻蚀工艺形成PMOS栅介质层；离子注入工艺形成PMOS源漏区；生长栅极材料形成PMOS栅极；生长栅极材料以形成NMOS栅极；金属

2023-07-16

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用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法.pdf

本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法是通过表面剪切应力在衬底表面引入应变，此应变的大小会随纵向深度不同而变化，但不随表面内横向尺寸的改变而变化，并通过侧壁正应力而保留沿沟道方向的等效应变。用本方法制作出来的晶体管在特征尺寸为几微米情况下，沟道仍具有较大应变，并能提高器件与电路的频率特性。

2023-11-26

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基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法.pdf

本发明提供一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法，所述CMOS器件包括：PMOS器件，包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层，形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述SiGe层及应变硅盖帽层中且分别位于SiGe沟道两侧的P型源区及P型漏区，以及形成于所述应变硅盖帽层表面且与SiGe沟道对应的栅极结构；NMOS器件，包括形成于所述sSOI衬底的应变硅层中的sSi沟道、N型源区及N型漏区，所述N型源区及N型漏区分别位于所述sSi沟道两侧，以及形成于所述sSi

2023-07-16

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SiGe沟道三维器件关键集成技术研究进展.pptx

,目录PartOnePartTwo定义与特性应用领域研究意义PartThree结构设计材料选择制造工艺可靠性分析PartFour国内外研究现状研究成果与突破技术挑战与前景PartFive微电子领域应用传感器领域应用光电子领域应用其他领域应用PartSix新型结构设计研究材料性能优化研究制造工艺改进研究可靠性提升研究THANKS

2024-10-07

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CMOS器件栅氧化层的制造方法.pdf

本发明公开了一种CMOS器件栅氧化层的制造方法，包括在硅衬底上制备浅沟道隔离区、衬垫氧化层和硬掩膜，通过刻蚀两个浅沟道隔离区之间的场区以露出有源区及有源区边缘的部分浅沟道隔离区；通过炉管工艺，在有源区表面生长一层氧化层，使得有源区的边缘圆化；通过湿法刻蚀，去除有源区表面的氧化层；通过炉管工艺，在有源区表面生长栅氧化层。本发明利用炉管工艺在有源区表面生成一层氧化层，随后利用湿法刻蚀将其去除，通过这两步工艺可以改善有源区的边缘尖角，改善栅氧化层的形貌，从而提高器件的性能。

2023-06-19

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